光模块行业深度报告：集成度逐步提升重构光模块价值链

（以下内容从爱建证券《光模块行业深度报告：集成度逐步提升重构光模块价值链》研报附件原文摘录）
投资要点：
光模块：封装集成度提升，增量利润将向性能瓶颈环节迁移。AI主导全球光模块市场发展，超高速光模块快速放量。据LightCounting数据，预计2025-2030年全球光模块市场CAGR约22%，800G光模块需求将于2028年迎来需求峰值，CPO产品有望在2026至2027年开始放量；从分立器件走向集成，COB是高速光引擎主流封装方式。光模块的封装方式主要有TO-CAN封装、BOX封装以及COB封装等。COB封装取消了芯片独立封装、中间连接器、柔性电路板等冗余结构，可以做到小/轻型化、低成本，是高速光引擎主流封装方式。可插拔光模块趋向多通道低功耗易散热，CPO或重塑光互联格局。光模块整体演变核心趋势围绕带宽提升持续推进封装扩容、架构集成和接口高密度化，解决高速场景下功耗、散热、布线、传输距离等问题。头部厂商已在关键场景导入LPO技术，CPO处于验证和规划阶段。利润集中于头部光模块厂商，关键在于技术优势和海外客户导入。技术演进推动利润重分配，增量利润优先向上游光芯片等接近性能瓶颈的环节迁移。
光芯片：硅光和CPO推动高功率CW激光器需求和探测器集成化。激光器芯片：EML和CW为主，硅光渗透率提升推动CW需求。数据中心激光器芯片与电信激光器芯片市场呈现差异化技术格局。数据中心激光器芯片市场形成EML与CW激光器芯片双轮驱动的技术路线：EML激光器芯片作为成熟方案，广泛应用于400G及以上光互连产品。近年来，具备高集成、低成本优势的硅光方案成为高速迭代主流方向，需要配套大功率CW激光器芯片；电信领域则以边发射激光器芯片为主流，核心原因是其可满足严苛的传输性能指标。硅光技术现已广泛应用于数据中心光互连市场，尤其在各类高速光互连产品中渗透率持续走高。探测器芯片主要包括PIN和APD，PIN主要用于中长距离传输，APD用于长距离传输。无源光芯片需求持续提升，供给集中于美日厂商。
电芯片：趋于集成，技术演进推动价值量分化。CPO架构推动电信号处理功能集成化，压缩独立电芯片需求，和系统级芯片厂商合作能力或成电芯片厂商发展的关键。据CAICT数据，全球光模块电芯片市场由ADI和TI等海外企业主导，25G及以下DSP产品国产化率达60%，50G及以上高速产品海外企业技术领先和生态绑定导致格局集中，博通、Marvell双寡头合计拿下90%以上的高端PAM4DSP市场份额。铌酸锂调制器驱动芯片占比高，硅光调制器驱动芯片占比快速提升。光调制器驱动芯片市场可分为铌酸锂（LiNbO3）调制器驱动芯片、硅光调制器驱动芯片、InP调制器驱动芯片及其他品类。据DataIntelo数据，2025年铌酸锂调制器驱动芯片市场份额最高，占比约38.4%，对应市场规模约6.91亿美元，硅光、磷化铟调制器驱动芯片方案不断抢占中短距场景市场份额。
光模块PCB加速从传统高多层板向mSAP工艺板过渡。高端产品驱动PCB市场稳健增长。2024年全球PCB市场规模约为750亿美元，预计2029年将增长至930亿美元以上，光模块PCB市场规模持续扩大，加速从传统高多层板向mSAP（改良半加成法）工艺板过渡。mSAP工艺能够在极小尺寸内实现更高密度线路布局，减小产品体积并削弱高速信号插入损耗，是支撑下一代高速光模块信号完整性的关键技术路线，具备mSAP工艺量产能力与头部客户认证的厂商有望迎来订单放量与产品结构优化的双重驱动。
投资建议：1）关注超高速光模块需求驱动市场规模提升：AI算力需求推动全球光模块市场高景气，800G光模块需求将于2028年迎来需求峰值，CPO产品预计2026-2027年放量，关注光模块厂商技术导入与市场份额提升；2）关注技术升级与集成化趋势：COB封装、LPO/NPO/CPO等技术方案持续迭代，硅光、薄膜铌酸锂调制器驱动芯片等新技术渗透率或快速提升，产业链升级有望带来结构性机会；3）关注高端PCB与核心器件：mSAP工艺加速渗透、HDI/高速高频PCB需求增长，具备高端产能与认证的厂商有望订单放量，关注光芯片、探测器芯片、驱动器等关键原材料供给能力。
风险提示：1）技术路径误判风险；2）下游需求不及预期风险；3）国际贸易摩擦风险。