计算机行业研究：电容：电RAM

（以下内容从国金证券《计算机行业研究：电容：电RAM》研报附件原文摘录）
行业观点
电容是“算力的能量缓冲”，前者承担数据吞吐速率与算力速率的匹配，后者承担电源供应速率与算力功率的匹配。据Morgan Stanley对英伟达下一代VR200NVL72机架BOM的拆解测算，VR200单机柜MLCC价值量约4,320美元，较GB300的约1,530美元增加182%；NVIDIA在Vera Rubin NVL72机架搭载较前代提升20倍的储能容量（20x more energy storage）以保持电力稳定。电容已经从“配套环节”重新定位为“瓶颈卡位”，景气重要性量变引发质变。
算力爆发驱动功耗倍增，被动元器件链迎来代际跃迁。AI服务器单机柜功耗已经突破百千瓦门槛——SupermicroBlackwell解决方案手册显示GB300NVL72整机柜典型工作功耗约132-140kW；Vera Rubin NVL72延续Oberon架构，Rubin Ultra Kyber机架整机功耗约600kW，将采用800VDC供电。功耗倍增直接传导至被动元器件用量倍增——村田制作所披露，GB300单台AI服务器需搭载约3万颗MLCC，单一AI机柜消耗高达44万颗MLCC；TrendForce数据显示VR200单机柜将使用约60万颗MLCC，较GB300高出30%以上。功率密度的代际跃迁直接推升被动元器件用量、电源系统价值量、电容总价值量。
三类电容并存放量，AIDC调峰、滤波、储能形成全链条覆盖。AI服务器内部并非单一品类，而是由三类电容形成功能矩阵：MLCC板式电容部署在GPU/CPU周边承担纳秒级电压滤波，铝电解电容（含积层箔电容）部署在PSU电源侧承担中间级滤波，超级电容部署在机柜电源架承担毫秒至秒级储能调峰。三类电容在AI服务器内功能互补、并存放量，并非替代关系。NVIDIA在OCP全球算力峰会上发布的800V HVDC白皮书强调“大型储能与超级电容叠加使用”，SST与超级电容形成“中压转换+瞬时调峰”的功能配对——AIDC电源路径重构持续抬升电容总用量。
电容主场在中国，国产厂商在材料-工艺-成品全链条具备核心竞争力。电容产业链的中国卡位深厚且完整。在上游电极箔环节，中国厂商在腐蚀箔、化成箔、积层箔三个细分领域均具备核心竞争力，东阳光拥有积层箔的全球独家专利和全球唯一积层箔工厂——积层箔电容器的市场渗透率预计2024、2027、2030年分别达到1%、10%、30%，对应产值分别为6亿元、60亿元、180亿元。在中游成品环节，中国厂商已经具备从材料到成品的全产业链能力，覆盖铝电解电容、超级电容、MLPC、积层箔电容器等核心品类。电容主场在中国，具备更强的产业纵深。
相关标的
超级电容：东阳光、江海股份、思源电气、海星股份、元力股份、艾华集团等。
MLCC：信维电子、泰晶科技、水晶光电、三环集团等。
SST：四方股份、金盘科技、阳光电源、京泉华、可立克等。
SST需要用到的SiC：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、三安光电等。
风险提示
AI资本开支不及预期风险；AI服务器代际推进不及预期风险；800V HVDC与SST渗透不及预期风险；海外大客户认证进度不及预期风险。