国盛证券：SST具备从0→1的产业弹性 建议围绕“功率半导体→磁性器件→系统集成”三层结构布局

（原标题：国盛证券：SST具备从0→1的产业弹性 建议围绕“功率半导体→磁性器件→系统集成”三层结构布局）

智通财经APP获悉，国盛证券发布研报称，随着AI集群从MW级向GW级演进，传统工频变压器因体积大、效率低、缺乏智能交互，已成为制约算力密度的物理枷锁。SST 将传统工频变压器升级为高频电力电子系统，通过功率半导体+高频磁性器件实现电压变换、隔离与能量管理的一体化集成，是“供电侧的CPO”——CPO 缩短光链路，解决带宽/功耗瓶颈;SST 缩短电链路，解决损耗/密度/响应瓶颈。算力基建轮动开启，SST 成为被低估的一环，具备从0→1 的产业弹性，建议围绕“功率半导体→磁性器件→系统集成”三层结构布局。

国盛证券主要观点如下：

什么是SST?——电源转换的“硅进铜退”

相较于传统变压器依赖电磁感应的被动式刚性变换，SST 凭借高频电力电子调制实现了能量的主动柔性管控。1)高频化：利用宽禁带半导体(SiC/GaN)将频率从50Hz 提升至数千甚至数万Hz，大幅缩小变压器体积(可减小约80%)。2)高度集成：就像CPO 将光引擎与芯片封装在一起，SST 将整流、DC/DC 变换、逆变集成，直接对接机架直流供电，减少转换层级，综合效率提升显著。

为什么是现在?——AI 电力约束+电气架构升级的共振点

算力尽头是电力，电力瓶颈前移：AI 集群功率密度持续上行(单机柜>100kW 成为常态)，传统“配电→变压→整流→分配”多级链路损耗高、响应慢，成为新瓶颈。

高压直流/中压直供趋势：为降低损耗与铜耗，数据中心配电从低压交流向中压直供、HVDC 演进， SST 可在中压侧直接完成AC/DC+DC/DC 转换与隔离，显著缩短能量路径。

宽禁带器件成熟(SiC/GaN)：高频、高效率成为可能，是SST 产业化的核心前提;同时带来体积、重量与效率的系统级跃迁。

SST 产业链价值分布?——从底层的“硅/碳化硅”到顶层的“系统集成”

类似液冷从部件走向系统，SST 的竞争核心不止于单一器件，而是拓扑设计、控制算法、热管理与系统级交付能力。同时，由于涉及电网/数据中心核心电力架构，SST 的认证与导入周期较长，具备先发优势的厂商更易锁定份额。SST 的推广核心取决于宽禁带半导体的渗透率与电控算法的成熟度：

上游衬底/外延：高压SiC 是SST 的心脏，耐压值和良率决定了SST的商业化进度;

中游功率器件/模块：处理高频开关损耗的模块;

下游系统集成：具备电网级know-how 和电力电子设计能力的整机厂商。

风险提示：算力进展不及预期、AI 发展不及预期、技术创新风险。