微导纳米2022年年度董事会经营评述

（原标题：微导纳米2022年年度董事会经营评述）

微导纳米2022年年度董事会经营评述内容如下：

一、经营情况讨论与分析

　　微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，CVD等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游客户提供先进薄膜设备、配套产品及服务。

　　在半导体领域内，公司已与国内多家厂商建立了深度的合作关系，深化推动ALD产业化应用领域和业务迅速发展，相关产品涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等诸多细分应用领域，多项设备的工艺质量、产能水平、稳定运行能力等关键指标均已达到了国际先进水平。同时，公司藉由现有的薄膜沉积类产品研发、推广和产业化的经验，开发了多种CVD真空薄膜技术产品。在光伏领域内，公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，目前已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。

　　公司先后荣获工信部专精特新小巨人企业、苏南国家自主创新示范区独角兽企业、江苏省小巨人企业（制造类）等荣誉称号，并被认定为江苏省原子层沉积技术工程技术研究中心、江苏省原子层沉积技术工程研究中心、江苏省省级企业技术中心、江苏省外国专家工作室、江苏省博士后创新实践基地、江苏省研究生工作站、江苏省省级企业技术中心。此外，公司于报告期末被江苏省科学技术厅、江苏省财政厅、国家税务总局江苏省税务局继续认定为高新技术企业（有效期3年），公司凤凰300原子层沉积设备（现已重新命名为iTomic原子层沉积设备）入选第十五届中国半导体创新产品。

　　（一）报告期内经营情况概述

　　2022年度，随着摩尔定律不断演化，集成电路的特征尺寸及刻蚀沟槽不断微缩，ALD等先进真空薄膜技术在半导体设备国产化进程中扮演越来越重要的角色。终端应用需求增长、进口替代和自主可控等因素驱动了国内晶圆厂逆周期扩产和工艺迭代升级，加速了国内半导体行业头部客户对国产ALD设备的产业化验证。同期，在全球碳中和的背景下光伏行业快速发展，装机量持续增加，客户产能扩充计划加速。随着公司与行业多家头部客户共同合作的TOPCon新型高效电池生产线实现规模化的量产，TOPCon产能率先放量，下游客户扩产计划加速。技术更迭推动ALD技术在新一代高效电池设备中投资比重增加，大幅度提升了ALD设备在光伏领域的市场渗透率，公司CVD产品的产业化应用更进一步提升公司产品在高效电池产线中的价值量。

　　根据SEMI行业统计，半导体薄膜技术领域，ALD约占镀膜板块的11%市场份额，未来几年保持高速增长，复合增长率高达26.3%。CVD约占镀膜板块的57%市场份额，未来几年的复合增长率约为8.9%。目前，ALD和CVD技术目前国产化率仍处于非常低的水平，故而有着非常广阔的发展前景。

　　报告期内，公司牢牢把握市场机遇，保持行业先发优势，不断丰富公司产品矩阵，进一步打开行业空间。半导体领域内，公司加速了各细分领域的产品研发、产业验证和应用，实现多项ALD、CVD技术产业化的突破，在保持ALD产品市场竞争力和占有率的同时，不断推出更多具备竞争力的CVD系列产品。

　　半导体领域以ALD为核心拓展CVD等多种真空技术和产品的研究开发

　　光伏领域内，公司进一步深化并拓宽了市场覆盖率，引领了行业TOPCon高效电池的量产导入，通过进一步丰富公司技术及产品矩阵，全力推进工艺整线产品策略的实施，并加快海外市场的拓展，同时积极布局更新一代的高效电池技术和产品，既充分抓住当下市场机遇，同时储备未来技术方向。最新一代夸父系列产品已广泛应用于光伏行业内一线客户，成为光伏行业主流镀膜方案，开发的行业内首条GW级TOPCon电池工艺整线项目通过验收。

　　光伏领域推进以ALD为核心的工艺整线策略和新一代高效光伏电池技术开发

　　柔性电子领域内，公司产品实现销售，取得阶段性突破；其他新兴应用方面，公司依托产业化应用中心搭建了项目团队，形成技术平台，将ALD、CVD等薄膜沉积技术产业化应用在更多新兴领域，为后期横向以及纵深发展奠定基础。

　　报告期内，公司新增订单增长迅速，产品销量增加明显，全年实现营业收入68,451.19万元，较上一年度同比增长59.96%；实现归属于上市公司股东净利润5,415.05万元，同比增长17.43%。按照下游行业分类，光伏设备实现营业收入50,094.12万元，较上一年度同比增加81.98%；半导体设备实现营业收入4,697.63万元，同比增长86.41%；柔性电子设备实现了销售突破。截止2022年12月底，公司在手专用设备订单22.93亿元，其中光伏设备订单19.67亿元，半导体设备订单2.57亿元，其他设备订单6,881万元。2023年1月初至本报告出具日，公司新增专用设备订单22.74亿元，其中新增半导体设备订单2.42亿元，新增光伏设备订单20.16亿元，新增其他设备订单1,580万元。

　　（二）具体经营工作完成情况

　　1、深入贯彻创新驱动发展战略，加大研发投入和技术保护，构建长期竞争优势

　　报告期内，公司坚持自主创新，持续加大研发投入，巩固现有技术优势，拓展并深化产业前瞻领域的应用。2022年公司研发投入13,839.54万元，相较去年同期增长42.62%，占收入比例为20.22%。其中，半导体领域研发投入占比约为55.19%，投向包括逻辑、存储、新型显示器、化合物半导体等项目；光伏领域研发投入占比约为37.47%，投向包括TOPCon、XBC、钙钛矿/异质结叠层电池等新一代高效电池技术等项目。同时，公司研发队伍人员不断充实，截至报告期末，研发人员达到241人，同比增长28.19%。目前已形成了一支结构合理、分工明确、专业知识储备深厚、产线验证经验丰富的研发团队。研发团队的构建将不断助力公司下游应用领域关键产品和技术的攻关与突破。

　　在持续强化技术壁垒的同时，公司高度重视技术保护工作，强调知识产权发展战略与企业发展规划的融合，完善专利布局。2022年新增专利申请及授权数量再创新高，各类型国家专利授权共计16项，累计达到102项。

　　2、紧跟行业发展趋势，完善产品布局，提高市场空间

　　报告期内，公司紧跟行业技术发展趋势，响应客户需求，新产品的开发和迭代速度突破历史最佳水平。半导体领域，公司加速逻辑、存储芯片、化合物半导体、新型显示芯片等半导体各细分领域产品的产业化，针对各细分应用领域研发试制新型ALD设备，并进一步完善产品矩阵，开发CVD等产品，满足客户在各技术节点上对薄膜沉积设备的需求。在光伏领域内，公司持续丰富产品线，提供ALD、PECVD、PEALD、扩散等多种产品，推进实施AEP（ALDEnabedPhotovotaics）技术为核心的TOPCon电池工艺整线策略，提高公司产品在客户产线投资中的占比，为客户提供更为完整、高效、经济的薄膜沉积解决方案。由公司开发的行业内首条GW级TOPCon工艺整线项目已经取得客户的验收，实现产业化应用。公司同时积极储备下一代高效电池相关产品和技术。

　　3、快速响应客户需求，为客户创造价值，提升客户覆盖率

　　报告期内，公司持续打造高端装备制造商的优质品牌，深化与国内外知名客户的合作，并拓展新兴领域市场，不断加强客户服务，跟踪售后，提升设备的稳定性、可靠性和经济性。在半导体领域内，先后获得国内多家知名半导体公司的商业订单及重复订单，与多家国内半导体厂商及验证平台签署了保密协议并合作开发量产化工艺技术。光伏领域，公司已建立了较高的品牌知名度，客户群体已基本覆盖光伏领域内包括通威太阳能、隆基股份、晶澳太阳能、阿特斯、天合光能等在内的多家知名太阳能电池片生产商，未来将大力拓展海外市场。除此之外，还在柔性电子等其他市场领域的有所突破。

　　4、积极推进产能扩充，优化供应链管理，增强交付能力

　　报告期内，面对国际贸易局势变动导致的全球产业链调整，公司重点加强了在需求预测、库存管理和供应商管理等方面的运营，积极开展供应链多元化工作，通过战略性采购、联合开发、寻找替代供应商等方式持续推动核心零部件多元化，保证核心部件可控性。同时，面对订单快速增长带来的交付压力，公司通过灵活安排各类产品生产规模、用工人数的方式，缩短交期，保障交付，设备产量大幅度增加。

　　5、完善管理体系建设，提高经营管理水平，助力公司持续健康发展

　　报告期内，公司加强了在公司治理、内部控制、信息披露、财务管理体系等方面的制度建设，规范经营行为，提高公司经营管理水平。同时，建立并完善内部全面质量管理体系，使市场需求、产品开发和技术升级、生产管理、质量管控、安环管理、市场营销、客户管理、售后服务以及财务管理等关键环节有效连接并可精确追溯。推行7S管理理念以及绩效考核制度，进一步落实和优化员工激励机制，增强公司的凝聚力和核心团队的稳定性。

　　

　　二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明

　　(一)主要业务、主要产品或服务情况

　　微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，CVD等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游客户提供先进薄膜设备、配套产品及服务。在半导体领域内，公司已与国内多家厂商建立了深度的合作关系，深化推动ALD产业化应用领域和业务迅速发展，相关产品涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等诸多细分应用领域，多项设备的工艺质量、产能水平、稳定运行能力等关键指标均已达到了国际先进水平。同时，公司藉由现有的薄膜沉积类产品研发、推广和产业化的经验，开发了多种CVD真空薄膜技术产品。在光伏领域内，公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，目前已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。

　　公司已开发和正在开发的适用于半导体、光伏等应用领域的多款薄膜沉积设备，涵盖ALD、CVD系列产品，并提供配套产品及服务，具体如下：

　　1、半导体领域主要产品

　　iTomic系列原子层沉积镀膜系统，适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料，可用于逻辑芯片、传统及新型存储芯片的电容介质层、高K栅介质覆盖层、掺杂介质层、芯片制造电极及阻挡层、化合物半导体钝化和过渡层等多个应用领域。该系列部分产品已取得客户验收，实现产业化应用，并取得重复订单。

　　iTomicMW系列批量式原子层沉积镀膜系统，适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料，可用于逻辑芯片、传统和新型存储芯片电容介质层、掺杂介质层、新型显示器、芯片制造电极及阻挡层、化合物半导体钝化和过渡层等应用领域。该系列部分产品已经取得客户订单，进入产业化验证阶段。

　　iTomicPE系列等离子体增强原子层沉积镀膜系统适用于沉积多种氧化物和氮化物、互相掺杂沉积工艺等薄膜材料，可用于MEMS、逻辑、存储、CMOS芯片的多重图案化和间隔层。该系列部分产品已发往客户处进行试样验证。

　　iTronix系列CVD系统，系公司基于客户关键工艺开发的战略需求，正在开发的新产品系列，适用于沉积氧化物、氮化物等薄膜材料。产品可用于芯片制造钝化层、扩散阻挡层、介电层、硬掩膜层与高级图案化层、电容覆盖层等应用领域。该系列产品将以硬掩模工艺为切入点，依托产业化应用中心强大的前瞻工艺开发能力及国际化的研发团队，以及公司所具有的半导体设备设计制造能力，解决关键工艺卡脖子问题，通过差异化策略开发CVD领域具有市场前景和竞争力的关键设备。截至目前，该系列部分产品已经处于与客户试样验证阶段。

　　2、光伏领域主要产品

　　3、其他新兴应用产品

　　除上述专用设备外，公司还为客户提供配套产品及服务，主要包括设备改造、备品备件及其他两类业务。

　　①设备改造。公司的设备采用模块化设计，公司可以针对市场需求和技术发展趋势，为已销售的在役设备提供改造服务，以帮助下游客户用较少的成本达到降本增效的效果，提高设备服役年限。公司目前的设备改造集中在光伏领域设备，设备改造的内容主要包括尺寸改造、工艺改造等。

　　②备品备件及其他。公司设备在运行过程中，部分零部件会出现正常损耗，因此下游客户需向公司采购易损耗的零部件。备品备件主要为载具（一体舟）、去离子水等产品。公司还针对设备提供载具清洗、耗材更换等后续服务。

　　(二)主要经营模式

　　1、盈利模式

　　公司通过向客户销售专用设备，提供设备改造、备品备件等配套产品及服务，获得相应的收入，扣除成本、费用等相关支出，形成公司的盈利。

　　2、采购模式

　　公司主要根据研发、生产、售后服务的需求计划和安全库存的需要等制定和执行采购计划，在合理控制库存的同时，保证物料供应的及时性。为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和评估制度，按照《供应链开发导入管理流程》对供应链的导入过程进行管控，严格考察供应商的资质实力、质量水平、售后服务等方面，经供应商调查、试制、首批验证评价后，登记合格供应商名录，并持续开展绩效评价和推动持续改进，保障和提升供应能力。公司采用从品牌厂商直接采购或代理厂商采购方式，公司核心部件供应厂商一般为国内外知名企业，核心部件的供应较为稳定。

　　3、生产模式

　　公司采用定制化设计与生产。根据客户采购意向和需求进行产品定制化设计与生产，以满足客户的差异化需求。在获取销售合同或采购意向后，由项目部负责整个项目过程的进度管控与相关节点事宜协调。根据客户要求提供生产资料，并根据零件特性及投料需求，组织采购。生产部根据生产计划、零件到货情况和技术要求制定部件的装配计划，对装配过程进行外观、功能、关键工序、定位连接等进行自检。完成装配作业后进行工艺调试，根据检验标准的要求进行检验后组织打包发货。公司在设备生产中存在外协加工的情况，公司外协加工包括外购加工件和委外加工两种情形。外购加工件是供应商按照公司的图纸和技术要求、来料检验标准等向公司提供非标准化的定制采购件。委外加工是由供应商对公司提供的在产品进行机加工或进行表面处理。

　　4、销售模式

　　公司的销售模式为直销，主要通过直接接洽和投标的方式获取客户。对于已经形成批量销售的成熟机型，在与客户接洽后可以直接进入商务谈判或者招投标环节；对于部分首次购买客户，即使是成熟机型，在给该客户第一次供货前一般需要提供样机进行试用，试用满足客户要求后，再进入商务谈判或者招投标环节；对于新研发机型，根据客户需求，公司可能需要提供样机交由客户评测，再根据客户评测结果对新研发机型进行改进升级，待样机达到客户的技术指标后，再进入洽谈及合同签订环节。设备运至客户指定的位置后，公司负责组织安装调试、配合客户生产工作，并提供技术指导、售后跟踪和维修服务。

　　5、研发模式

　　公司根据研发阶段和内容将研发人员分为机械设计、电气和软件开发、工艺开发三类。机械设计类主要负责进行机械研发，主要职责是对新机型的研究与开发、对老机型的更新和改进、对车间装配和设备调试的技术支持，以及对工艺研发中涉及到机械硬件的技术支持；电气和软件类主要是负责电气及设备运行软件开发以及设备运行的电气和程序维护，对工艺开发中涉及到的技术提供支持；工艺开发类主要负责开发新产品所需要的各类镀膜工艺以及设备在客户端量产导入前的各类应用，同时为客户开发更先进的量产工艺技术。公司的产品研发及产业化流程主要包括需求提出、立项和规划阶段、开发实现阶段、产业验证阶段、产业化应用阶段。

　　(三)所处行业情况

　　1.行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

　　根据《国民经济行业分类与代码》（GBT/4754-2017），公司所处行业属于C3562半导体器件专用设备制造（指生产集成电路、二极管（含发光二极管）、三极管、太阳能电池片的设备的制造），属于高端装备在半导体、光伏等新一代信息技术领域、新能源的应用。根据公司产品的应用领域的不同，下游行业发展阶段、特点以及技术门槛情况如下：

　　1、半导体薄膜沉积设备

　　（1）薄膜沉积设备是半导体前道工艺设备的核心设备之一，受下游晶圆产线扩产、先进制程和新兴工艺的驱动，行业拥有较大的市场空间和良好的成长性

　　根据SEMI数据统计，晶圆厂的投资构成中，刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备，其中薄膜沉积设备制备的各类薄膜发挥着导电、绝缘、阻挡污染物等重要作用，直接影响半导体器件性能，相关设备的投资额占晶圆制造设备投资总额约21%。

　　随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在90nmCMOS工艺大约需要40道薄膜沉积工序。在3nmFinFET工艺产线，则超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。

　　伴随着晶圆厂投资力度及新建产能进程加快，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与3DNAND存储技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。MaximizeMarketResearch预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模2025年将扩大至340亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。同时，根据SEMI预测，2020年至2025年，全球半导体薄膜沉积设备中ALD设备的复合增长率预测为26.3%，预计高于整体半导体薄膜沉积设备市场的增长率。

　　（2）半导体薄膜沉积行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认证壁垒，国际市场目前主要被传统设备厂商垄断，国产替代趋势明显

　　由于芯片由不同模块工艺集成，薄膜沉积是大多数模块工艺的关键步骤，薄膜本身在不同模块/器件中的性能要求繁多且差异化明显。薄膜沉积工艺需要持续发展，新材料出现或器件结构的改变要求不断研发新的工艺或设备。同时，薄膜性能不断提升的需求要求工艺及相关专用设备具备更好集成度；更苛刻的热预算要求提升了温度条件更严格的薄膜生长工艺需求；沉积过程还要考虑沉积速率、工艺稳定性、环境污染、设备可靠性等各项严苛的指标。因此，薄膜沉积技术是一项涉及多个跨学科领域的高端技术，该技术在真空等特殊环境下实现化学反应，制备的薄膜材料为纳米级，并且工艺性能要求极高，从而导致薄膜沉积设备在晶圆制造生产环节诸多技术中，具有较高的技术壁垒和技术难度。

　　由于薄膜沉积设备及工艺技术行业壁垒较高，传统的国际大型厂商成立较早，在薄膜种类和相关工艺方面不断突破，具有先发优势，因此行业集中度较高。目前全球薄膜沉积设备市场基本上由应用材料、LAM、TEL、ASM等传统设备厂商垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起，我国半导体制造体系和产业生态得以逐步建立和完善；但从国内主流晶圆厂累计招标情况统计，半导体薄膜沉积设备的国产化率仍处于较低水平，国产厂商在薄膜沉积领域工艺覆盖类型方面尚不完善，仍有较大发展空间。

　　为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机，而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。

　　2、光伏薄膜沉积设备

　　（1）薄膜沉积设备是太阳能电池片制造环节的关键设备之一，受益于光伏行业装机规模持续扩大，市场前景广阔。

　　按照光伏电池产业链，可将光伏设备分为硅片设备、电池片设备、组件设备。光伏薄膜沉积设备主要应用于太阳能晶硅电池片的制造环节，根据电池不同工艺和所需的薄膜性质，所采用的薄膜沉积设备会有所不同。薄膜沉积设备制备的薄膜直接影响电池片的光电转换效率，随着电池结构的发展，薄膜沉积设备的重要地位愈发凸显，且在电池产线设备投资中的占比不断提高。

　　随着全球《巴黎协定》的通过以及中国碳达峰和碳中和目标的提出，全球能源转型驱动光伏装机规模持续扩大。国内经过过去十多年快速发展，光伏技术不断突破，发电成本快速下降，装机规模迅猛增长，根据中国光伏行业协会（CPIA）发布的《2022年-2023年中国光伏产业发展路线图》，2022年全国新增光伏并网装机容量87.41GW。累计光伏并网装机容量达到392.6GW，新增和累计装机容量均为全球第一。2022年，全国电池片产量约为318GW，同比增长60.7%。装机容量和电池片产量的不断扩大带动了光伏设备尤其是薄膜沉积设备需求的增加。

　　（2）光伏电池片技术迭代带来设备新需求，具备相应技术储备和研发实力的公司具有更强的市场竞争力。

　　太阳能晶硅电池片的制造环节的规模优势明显、技术迭代较快，在实现规模经济、降本增效的驱力下，电池片厂商积极扩产并推动新技术产业应用，其中薄膜沉积设备作为光伏电池的核心设备与新型工艺技术开发紧密结合并持续迭代发展。光伏领域薄膜沉积设备制造厂商需要不断结合市场需求和前后端设备技术发展趋势，针对下游客户产线的技术迭代方向，持续推出具有竞争力的新型号、乃至新一代产品，协助客户实现降本增效目的才能持续保持市场竞争力。

　　目前，由于PERC电池片的量产平均转换效率已逐渐接近理论极限，TOPCon、HJT、XBC等新型电池技术路线正逐步成为电池技术的主要发展方向。电池厂商新建量产产线开始主要聚焦于TOPCon、HJT两种技术路线。根据CPIA发布的《2022年-2023年中国光伏产业发展路线图》2022年，新投产的量产产线仍以PERC电池产线为主。但下半年部分N型电池片产能陆续释放，PERC电池片市场占比下降至88%，N型电池片占比合计达到约9.1%，其中N型TOPCon电池片市场占比约8.3%，异质结电池片市场占比约0.6%，XBC电池片市场占比约0.2%，未来随着生产成本的降低及良率的提升，N型电池将会成为电池技术的主要发展方向之一。

　　2.公司所处的行业地位分析及其变化情况

　　在半导体领域内，公司已与国内多家头部半导体厂商建立了深度的合作关系，ALD产业化应用迅速发展的同时，公司藉由现有的薄膜沉积类产品研发、推广和产业化的经验，开发了以CVD为代表的多种真空薄膜技术产品，相关产品涵盖了逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等细分应用领域，多项设备的镀膜质量、产能水平、稳定运行能力等关键指标均已达到了国际先进水平。公司已成功研制的High-k原子层沉积所应用的高介电常数（High-k）栅氧薄膜工艺是国内突破28nm制程中难度最大的工艺之一。公司是国内首家将其成功量产合并应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司，并已获得客户重复订单认可，填补了我国在该项半导体设备上的空白。除上述在半导体领域已实现产业化应用的功能外，公司2022年推出的应用于逻辑芯片、传统和新型存储芯片、CMOS芯片、MEMS等领域的多款ALD设备也取得了客户订单，部分设备获得多个重复订单。公司新开发的CVD设备的部分产品已经发往客户处进行试样验证。

　　在光伏领域内，公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。公司为客户提供具备优良的产品性能的设备，在保障光电转换效率的同时，可有效帮助电池片厂商大幅降低设备投资额与生产成本，在PERC、TOPCon、XBC、异质结/钙钛矿叠层电池等高效电池技术发展过程中起着重要作用。相关产品已在新型电池产线上得到下游客户广泛认可，拥有较高的市场占有率，客户群体已基本覆盖光伏领域内包括通威太阳能、隆基股份、晶澳太阳能、阿特斯、天合光能等在内的多家知名太阳能电池片生产商。

　　根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。

　　3.报告期内新技术、新产业（300832）、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

　　1、半导体薄膜沉积设备技术发展情况和趋势

　　半导体薄膜沉积设备技术的演进路径与半导体器件的大小和结构息息相关。在摩尔定律的推动下，元器件集成度的大幅提高要求集成电路线宽不断缩小，影响集成电路制造工序愈为复杂，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。这一趋势对薄膜沉积设备产生了更高的技术要求，市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加。

　　（1）半导体领域中PVD、CVD、ALD三类薄膜沉积技术相互补充、不断迭代。

　　常见的半导体领域中薄膜类型主要分为半导体、介质、金属/金属化合物薄膜三大类。半导体领域薄膜的沉积材料与应用场景复杂多样，伴随制程的演变材料需求增加，推动薄膜沉积工艺和设备的进步。薄膜制备依据的基础原理不同，因此薄膜沉积设备的工艺存在不同的技术路线。物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）三类薄膜沉积技术均为目前半导体领域的主流技术路线，但各技术适用的环节有所不同。在芯片的制造过程中，涉及十余种不同材料的薄膜、数十种工艺类型、上百道工艺环节，需要不同性能和材料的薄膜，因此PVD、CVD、ALD三类薄膜沉积技术依靠各自技术特点拓展适合的应用领域，材料制备上相互补充。例如，仅从通用薄膜厚度适用性的角度来评估，PVD一般用于较厚的金属及导电类的平面膜层制备；CVD一般适用中等以上厚度的膜层制备、应用范围广；ALD可以一个原子的厚度（约0.1nm）为精度进行薄膜沉积，更适用于超薄膜厚度控制以及三维、超高深宽比结构器件的应用。同时，三种技术本身也随着下游应用需求的提高持续发展。

　　ALD技术相较于CVD技术和PVD技术，产业化应用起步时间较晚，在45nm以上等成熟制程、2D平面结构器件中应用较少，2007年Inte公司才首次在45nm技术节点上开始应用ALD技术进行薄膜制备，主要由于在先进制程节点下，原来用于成熟制程的溅射PVD、PECVD等工艺无法满足部分工序要求，因此需要引入ALD工艺。ALD技术凭借其原子层级沉积特点，具有薄膜厚度精确度高、均匀性好、台阶覆盖率极高、沟槽填充性能极佳等优势，特别适合在对薄膜质量和台阶覆盖率有较高要求的领域应用，在45nm以下节点以及3D结构等先进半导体薄膜沉积环节具有较好的应用前景。半导体制程演进与薄膜沉积技术对应情况如下：

　　（2）ALD技术在28nm以下逻辑芯片先进制程、DRAM、3DNAND、新型存储器等重要领域的技术优势明显，应用迅速扩大。

　　①28nm制程以下的High-k栅介质层沉积需要应用ALD技术

　　晶圆制造65nm制程及以上中，集成电路主要通过沉积SiO2薄膜形成栅极介质，但进入45nm制程特别是28nm之后，传统的SiO2栅介质层薄膜材料厚度需缩小至1纳米以下，将产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加、器件性能急剧恶化，此时用高K材料替代SiO2可优化器件性能。常见的高K材料包括TiO2、HfO2、A2O3、ZrO2、Ta2O5等。其中HfO2的介电常数为25，具有适合的禁带宽度（5.8eV），因此HfO2作为栅介质层得到了业内广泛的应用。高K材料的沉积要求原子级别的精确控制及沉积高覆盖率和薄膜的均匀性，需要应用ALD技术。

　　②先进制程多重曝光技术的需要应用ALD技术

　　随着芯片集成度不断提升，晶体管结构也在接近物理尺寸的极限。自2011年开始，代工厂开始采用效率更高、功耗更低的22nm/16nm/14nmFinFET晶体管结构，但由于当光罩线宽接近光源波长时将会发生明显的衍射效应，会导致光刻工序的失效。在EUV技术普及之前，目前主流的ArFDUV光刻机（波长193nm）通过浸润、相移掩模、多重曝光等方法，满足28nm以下7nm以上的制程工艺。多重曝光技术是指在现有的光刻机精度下，依次使用不同的掩膜版，分别进行两次及以上的曝光，将一次曝光留下的介质层作为二次曝光的部分遮挡层。在此过程中，由于多重曝光增加了多道薄膜沉积工序，需要薄膜技术具有接近100%的保型性、薄膜厚度控制精准，因此ALD技术被迅速推广应用。

　　③存储芯片DRAM、3DNAND、新型存储器结构对ALD技术的需求越来越大

　　随着DRAM存储器容量不断增大，其内部的电容器数量随之剧增，而单个电容器的尺寸将进一步减小，电容器内部沟槽的深宽比也越来越大。深沟槽将需要更高的薄膜表面积，例如在45nm制程中，沟槽结构深宽比达到100：1，所沉积薄膜的有效面积大约是器件本身表面积的23倍。这些给沉积技术提出了更高的要求。同样地，得益于薄膜以单原子层为量级生长所带来的大面积均匀性、高台阶覆盖率和对膜厚的精确控制，ALD技术能够很好地满足这些要求。

　　存储芯片高深宽比结构示意图

　　3DNAND结构，内部层数不断增高，元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构，PVD和CVD难以达到沉积效果，ALD则可以实现高深宽比特征下的均匀镀膜。以最具挑战性的向字线中填充导电钨为例：3DNAND交替堆叠氧化物和氮化物介电层，目前层数多达96层。密集排列且具有高深宽比的孔渗透至这些层中，按照高深宽比通道将排列分为字线。为了创建存储单元，必须移除氮化物层并以钨进行替换。这种钨必须通过深（垂直深度50:1）通道引入，然后横向扩散，从而以无孔洞的超共形沉积方式填充（之前的）氮化物水平面（横向比约10:1）。原子层沉积能够一次沉积一个薄层，这就确保了均匀填充，并防止因堵塞而产生的空隙。

　　3DNAND结构示意图

　　④先进晶体管结构需要全方位的ALD解决方案

　　晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元，漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在晶体管缩小的基础上，为了进一步提升器件性能，晶体管结构也在发生变化。与平面晶体管（如MOSFET）相比，FinFET是一种具有高架沟道的三维晶体管，栅极环绕该沟道，制备难度更大。在标准平面替换闸极技术中，金属栅极堆叠由ALD、PVD以及CVD多种技术沉积金属层结合组成，但器件过渡到FinFET、GAA等三维结构，PVD和CVD则难以达到沉积效果，需要全方位的ALD解决方案。ALD所沉积的Spacer材料的宽度即决定了Fin的宽度，是制约逻辑芯片制程先进程度的核心因素之一。

　　综上所述，在半导体制程进入28nm后，由于器件结构不断缩小且更为3D立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。SEMI预计2020年-2025年全球ALD设备市场规模年复合增长率将达到26.3%，在各类关键晶圆生产设备中增速最快。

　　目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，ALD设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向14纳米甚至更小的方向升级时，与PVD设备和CVD设备相比，ALD设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全考虑，国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势，以及国产化进程加快的背景下，国产半导体ALD设备迎来前所未有的发展契机。

　　（3）CVD等传统薄膜沉积技术仍具有十分广泛的应用和市场空间

　　虽然随着ALD技术的发展，其应用范围逐步拓展，但由于芯片的制造过程中，涉及数十乃至百余种不同要求的薄膜材料，各类电性能、机械性能不同的薄膜构成了芯片3D结构体中不同的功能，不同种类的薄膜沉积设备适用于不同工艺节点对膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等不同要求，CVD等传统薄膜沉积设备仍广泛应用于半导体薄膜沉积的各环节，并占据一定的市场空间。根据SEMI和北京欧立信数据显示，在2021年全球各类薄膜沉积设备市场份额中，PECVD、LPCVD等CVD技术仍是薄膜设备中占比最高的设备类型，PECVD占整体薄膜沉积设备市场的33%，LPCVD设备占比各约为11%。

　　其中，PECVD设备是芯片制造的核心设备之一。由于等离子体的作用，可以在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备之一。

　　再如，LPCVD技术中，反应压强下降到100Torr及以下，分子的自由程与气体扩散系数增大，气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加，具备较佳的阶梯覆盖率及很好的组成成份和结构控制。LPCVD设备具有沉积速率快，产能高等特点，且不需要载子气体，大大降低了颗粒污染源，被广泛地应用在芯片制造过程中。

　　PECVD、LPCVD等CVD设备适用于不同工艺节点对膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等的不同要求，相关设备覆盖的工艺范围广，应用场景也较多。因国内半导体行业发展较为迅速，且目前CVD的国产化率水平还处于较低水平，国内CVD设备市场具有十分广阔的市场空间。

　　（4）公司半导体ALD技术的发展情况

　　公司半导体ALD设备的应用场景均代表国内半导体各细分领域的先进工艺发展方向，在逻辑芯片、存储芯片、新型显示芯片、化合物半导体领域均有设备订单，并已在客户段验收或客户验证，具体情况如下：

　　①在逻辑芯片领域，已开发的28nm逻辑芯片中高K栅介质层是国内集成电路突破28nm先进制程节点要求最高的工艺之一。公司ALD设备凭借原子级别的精确控制及沉积高覆盖率和薄膜的均匀性，制备的高K材料HfO2较好的满足了28nm逻辑器件制造过程的需要，相关设备已取得客户验收，实现产业化应用，并已获得重复订单。同时，公司还在逻辑芯片领域陆续开发新的设备工艺和材料应用。

　　②在存储芯片领域，ALD设备在高K栅电容介质层、介质覆盖层、电极、阻挡层等工艺中的优势使其被广泛应用于DRAM、3D-NAND、新型存储器等半导体制造领域，未来其在薄膜沉积环节的市场占有率将持续提高。公司应用于该领域的设备已进入产业化验证阶段，其中单片型ALD设备已获得多种工艺设备的重复订单；批量型ALD设备也已获得客户订单，且为行业首台批量型ALD设备在存储芯片制造领域的应用。

　　③在新型显示芯片领域，硅基微型显示芯片的阻水阻氧保护层应用于硅基OLED微型显示芯片，该类显示芯片采用集成电路CMOS工艺，作为半导体和OLED结合的一种新型显示技术，具有较大发展前景。公司应用于该领域的批量型ALD设备产品已获得多个客户订单，处于产业化验证阶段。

　　④在化合物半导体领域，第三代化合物半导体的钝化层和过渡层应用第三代化合物半导体功率器件，具有广阔的市场前景。例如，氮化镓器件相对于硅基器件有高频高压的特点，其栅极结构逐渐被V型或深沟槽型结构取代，氮化镓器件的漏电问题也日益突出。ALD技术适合于生长超薄A2O3、AN等薄膜作为钝化层和过渡层，可以起到更好的器件漏电抑制效果，保证器件具有良好的漏电和击穿性能。

　　随着逻辑芯片、DRAM、3DNAND及新型存储器芯片、化合物半导体、新型显示芯片等先进半导体技术的快速发展，下游生产环节对于沉积薄膜的厚度、精度、成分和结构的要求不断提高，对ALD设备采购需求将会持续增加。公司的ALD设备凭借其薄膜厚度精确度高、均匀性好、台阶覆盖率极高等优点，已经与下游半导体制造厂商就各类先进应用开展合作，能够满足客户制备高质量薄膜的需求。在国产化进程加快的背景下，随着下游客户逐步达产和半导体各细分领域先进工艺应用投资规模的扩大，公司产品将具有更广阔的市场前景。

　　（5）公司半导体CVD技术的发展情况

　　PECVD、LPCVD等CVD产品具有较为广阔的市场空间，且目前国产化率水平还处于较低水平。公司基于客户关键工艺开发的战略需求，以CVD的硬掩模工艺为切入点，依托产业化应用中心强大的前瞻工艺开发能力及国际化的研发团队，和公司所具有的半导体设备设计制造能力，解决关键工艺卡脖子问题，进行差异化策略，开发CVD领域具有市场前景和竞争力的关键设备。相关产品可应用于芯片制造硬掩膜与高级图案化、钝化层、扩散阻挡层、介电层、电容覆盖层等领域。截止目前，该系列部分产品已发往客户处进行试样验证。

　　2、光伏薄膜沉积设备技术发展情况

　　光伏薄膜沉积设备技术的演进路径与光伏电池类型变化相关。根据所需沉积薄膜类型的不同，光伏领域各技术路线有其各自适合的应用场景，并随着光伏电池技术发展而动态变化。太阳能电池片技术路线主要包括铝背场电池（A-BSF）、PERC、TOPCon、异质结（HJT）、XBC电池、钙钛矿等。目前，PERC技术已经非常成熟，TOPCon正逐步成为主流，同时行业内也在积极探索或布局HJT、XBC、钙钛矿等新兴太阳能电池技术，目前尚处于实验或验证阶段。

　　以PERC和TOPCon电池为例，其工艺流程及各环节主要设备如下：

　　光伏领域中薄膜沉积技术以PECVD和ALD为主，综合使用多项技术路线是行业趋势。PECVD技术因其兼容性高，各类型应用前景广泛。ALD技术作为成膜质量最好的技术，随着光伏效率提升对薄膜工艺要求提高，也有更多的应用场景。行业内薄膜设备厂商目前主要以PECVD或ALD技术路线为主，根据各自的技术积累和未来技术方向的专业判断，同时进行多种技术路线的选择和尝试。

　　公司ALD技术在TOPCon电池中已经取得良好应用，因ALD技术优异的保型性且薄膜材料密度一致，在TOPCon电池具有金字塔绒面的正面A2O3钝化层制备中，公司的ALD设备正成为主流技术路线。同时，公司还基于PEALD、PECVD等多种真空薄膜技术，开发多款不同技术路线的产品，更好的为下游电池厂商提供薄膜沉积的整体解决方案。由公司开发的行业内首条GW级TOPCon工艺整线已经获得客户的验收，带动和引领了行业内TOPCon电池的量产导入。同时，公司还积极地探索开发在XBC、异质结/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池方面的技术。

　　(四)核心技术与研发进展

　　1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

　　自设立以来，公司一直重视研发工作，通过不断技术改进、技术创新，在以ALD技术核心的薄膜沉积技术领域形成了多项核心技术和科技成果，并应用于公司主营业务，实现了科技成果与产业的深度融合。公司在原子层沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术、纳米叠层薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术、基于原子层沉积的高效电池技术等前沿科技领域持续构筑和强化技术壁垒。

　　1、核心技术概况

　　公司重视研发力量的投入，在较短时间内实现了产品与工艺的突破升级，核心技术主要来源于自主研发，相关专利仍在持续申请。

　　2、核心技术具体表征

　　公司核心技术围绕真空镀膜装备及配套工艺开展，主要体现在通过反应器结构、反应源配置、输送控制系统等核心系统的设计，针对核心零部件的选型提出具体技术要求，并指导其它相关电气和机械设计以及生产、装配、检测、安装调试等步骤的实施，保障产品符合工艺和技术要求。

　　3、核心技术实现的先进工艺性能

　　公司核心技术的先进性主要体现在公司及核心产品在产业链中具有重要地位、具备竞争优势以及各核心技术实现的先进工艺性能等方面。在半导体领域，公司产品实现了高质量薄膜的沉积，解决了先进制程中薄膜沉积均匀性、金属污染及颗粒污染等工艺难题，满足了先进器件产品生产要求。设备的镀膜质量、产能水平、稳定运行能力等方面均达到国际同行业水平。在光伏领域，公司在保证薄膜质量的前提下，实现了超大装载量和超高产能的ALD设备批量化应用，并不断开发新型技术用于新型高效电池生产。

　　2.报告期内获得的研发成果

　　2022年新增专利申请及授权数量再创新高。各类型国家专利授权共计16项，累计达到102项，其中发明专利14项、实用新型专利79项、外观设计专利9项。2022年新增申请专利共计63项，累计达到235项，其中发明专利133项、实用新型专利93项、外观设计专利9项。

　　3.研发投入情况表

　　研发投入总额较上年发生重大变化的原因

　　报告期研发费用总额增加4,135.55万元,增长幅度为42.62%,系公司进一步扩充研发团队、加大研发投入、积极加快新产品研发活动所致。

　　4.在研项目情况

　　5.研发人员情况

　　6.其他说明

　　

　　三、报告期内核心竞争力分析

　　(一)核心竞争力分析

　　1、先进技术路线优势

　　在传统工艺中，由于存在厚度控制和膜层均匀性的问题，通过CVD与PVD工艺所生成的膜很难突破10nm以下的厚度极限。此外，在深宽比达到10:1以上时，CVD与PVD工艺无法保证下游工艺需要的近100%覆盖率的技术要求。与之相比，ALD工艺可以在100%阶梯覆盖率的基础上实现原子层级（1个纳米约为10个原子）的薄膜厚度。在这种情形下，随着制程技术节点的不断进步，ALD工艺优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子学和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力，会越来越受到青睐。

　　在半导体领域，先进制程、存储芯片器件结构3D化及新技术提升加大了对ALD设备的需求；在光伏领域，ALD技术在TOPCon等下一代高效电池工艺上均具有良好的应用空间；此外，ALD技术作为一种具有普适意义的真空镀膜技术，由于其超薄的膜厚、极高的均匀度及优异的三维共形性，使其在纳米级别可产生诸多特殊的性质，在柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。上述任一领域的应用前景均体现了ALD的技术特点及优势，为公司的后续发展提供了广阔市场空间。

　　2、优秀的研发团队和完善的产业化应用中心平台的优势

　　自成立以来，公司以行业内资深专家为核心，积极引入和培养一批经验丰富的电气、工艺、机械、软件等领域工程师，形成了跨专业、多层次的人才梯队。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，不断助力下游应用领域关键产品和技术的攻关与突破，保障了公司产品的市场竞争力。

　　同时，公司已建立的产业化应用中心以现有技术为基础，围绕国产化替代的战略需求，结合行业内最前沿的技术发展趋势和市场需求，针对先进技术和工艺性能，搭建了研发平台、高端研发人才培养平台以及未来新项目、新企业发展孵化器。产业化应用中心使公司具有前瞻应用定制化能力，为客户提供全场景Demo设备线，从而能够及时响应客户的各类需求，为客户提供全方位的解决方案，为公司横向和纵向发展提供支撑，从而保证公司技术保持领先。

　　公司设置专门部门管理技术研发流程和产品流程，并对相关研发成果实施知识产权保护。

　　3、技术积累与研发创新能力优势

　　公司坚持自主研发，已形成原子层沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术等多项核心技术，上述核心技术成功应用于公司各类产品。公司光伏领域设备被评为江苏省首台（套）重大装备产品，半导体领域设备成为国产首台成功应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的量产型High-k原子层沉积设备。2022年，公司凤凰300（iTomic原子层沉积设备）原子层沉积设备入选第十五届中国半导体创新产品。其他产品也已在半导体及泛半导体领域经过量产验证，并获得重复订单。

　　4、优质客户资源优势

　　公司在半导体领域先后获得多家国内知名半导体公司的商业订单，并与多家国内主流半导体厂商及验证平台签署了保密协议并开展产品技术验证等工作。光伏领域已覆盖包括通威太阳能、隆基股份、晶澳太阳能、阿特斯、天合光能等在内的多家知名太阳能电池片生产商。

　　5、高效客户服务优势

　　公司主要产品为非标准化产品，通过将基础研发与行业应用紧密结合，以下游企业的实际需求为研发导向，针对客户的工艺和薄膜性能需求快速响应，及时满足客户产线需求。公司技术服务体系健全，为客户提供及时的驻厂技术服务支持，及时到达现场排查故障、解决问题，保证快速响应客户的需求，缩短新产品导入的工艺磨合时间。

　　(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施

　　

　　四、风险因素

　　(一)尚未盈利的风险

　　(二)业绩大幅下滑或亏损的风险

　　(三)核心竞争力风险

　　1、技术迭代及新产品开发风险

　　随着技术和应用领域的不断发展，下游客户对薄膜沉积设备工艺路线、材料类型、技术指标等要求也不断变化，因此会对产品提出新的要求。公司需要不断紧跟行业技术发展趋势、及时研发可满足行业技术要求的产品。

　　如果公司未能准确理解下游客户的产线设备及工艺技术演进需求，或者技术创新产品不能契合客户需求，如无法持续提供满足电池降本增效需求的产品、无法响应半导体、新型高效电池等领域新出现的应用需求，可能导致公司设备无法满足下游生产制造商的需要，从而可能对公司的经营业绩造成不利影响。

　　2、核心技术人员流失或不足的风险

　　公司后续将加大ALD等薄膜沉积技术在半导体、新型高效电池等领域应用推广的投入力度，若公司不能提供更好的发展空间、更具市场竞争力的薪酬待遇以及更适合的研发条件，将无法持续吸引相关领域的顶尖人才加盟，公司将面临技术人才不足的风险。在行业高速发展、国产替代趋势加快的大背景下，甚至有可能发生现有核心技术人员流失的情形，对公司的产品研发与盈利能力产生不利影响。

　　3、知识产权相关的风险

　　高端设备行业属于知识聚集性产业，因此可能存在知识产权保护不及时、技术泄密、相关诉讼等相关风险。公司以自主研发与核心技术作为发展的源动力，如果未来关键技术人员流失或其他原因导致在生产经营过程中核心技术及相关数据、图纸等保密信息泄露进而导致核心技术泄露，将会在一定程度上影响公司的市场竞争力，对公司的生产经营和发展产生不利影响。

　　(四)经营风险

　　1、新产品验证进度及市场发展不及预期的风险

　　公司薄膜沉积设备主要应用于半导体晶圆、光伏电池片的生产环节，直接影响半导体器件性能及光伏电池片的光电转换效率，是下游客户产线的关键工艺设备。因此，客户对公司新产品的验证要求较高、验证周期较长，公司用于半导体各细分领域和新型高效电池的新产品存在验证进度不及预期的风险。

　　在半导体领域，我国半导体设备制造产业起步较晚，目前国内产线关键设备的国产化仍处于起步和发展阶段。在光伏领域，新型高效电池扩产计划持续推进，但因技术成熟度、投资成本等限制性因素，规模化量产尚存在不确定性。如果半导体制造和国内新型高效电池产线发展不及预期，公司未来销售增长将受到限制。

　　2、主要客户集中度较高的风险

　　报告期内，公司对前五名客户的销售金额合计分别为45,716.13万元，占公司主营业务收入的比例为66.85%。如果未来公司无法进一步开拓新的客户及新的业务领域，或部分客户经营情况不利，或由于选择其他技术路线，从而降低对公司产品的采购，将会影响公司的财务业绩。

　　3、供应商未来可能发生较大变化的风险

　　公司部分产品尚处于市场开拓阶段，如后续新产品在下游市场形成突破，公司向与该产品相关的重要供应商采购原材料的数量与金额将大幅增长，从而可能导致公司供应商出现较大的变动，进而导致公司在供应商管理的过程中面临较大的风险，或可能引发公司产品质量控制能力的下降，对经营业绩及品牌影响力产生不利影响。

　　4、海外市场开拓与贸易环境变化风险

　　报告期内，公司主营业务收入中，境外收入金额2,216.72万元，占同期主营业务收入的比例分别为3.24%。如海外区域的贸易政策、监管政策发生重大不利变化，或受不可控的其他政治、经济因素影响，致使海外市场需求出现大幅波动，将可能影响公司海外市场的开拓。

　　5、季节业绩波动的风险

　　同时，由于客户采购存在非均匀、非连续等特征，这导致公司各季度间的订单签订金额存在较大波动。此外，受产品开发和生产周期、下游市场环境、客户经营状况等因素影响，公司各订单从合同签订、发货到最终验收的周期也存在较大差异，从而使得公司各季度的营业收入波动较大。而与此同时，公司的期间费用支出有较强刚性。由此导致了公司各季度经营业绩存在波动，甚至可能出现单个季度亏损的风险。

　　(五)财务风险

　　1、经营业绩波动甚至出现亏损的风险

　　公司在半导体各细分领域和光伏新型高效电池的产品、技术方面存在持续加强投入的需求，相关投入会对公司经营业绩造成影响。如果未来由于新产品开发持续投入但未能及时实现产业转化，或出现市场竞争加剧、下游客户投资需求变化，以及在手订单由于生产、验收周期受外部不利因素影响未能及时转化为收入等情形，可能使公司面临一定的经营压力，从而导致公司未来业绩存在大幅波动甚至出现亏损的风险。

　　2、存货跌价的风险

　　报告期各期末，公司存货为97,538.48万元，占总资产的比例为25.54%；发出商品为54,558.21万元，占期末存货的比例分别为55.94%，为存货的主要组成部分。公司存货账面价值较高，主要是由于公司发出商品的验收周期相对较长导致。公司已按照会计政策的要求并结合存货的实际状况计提了存货跌价准备，但仍不能排除市场环境发生变化，或其他难以预计的原因，导致存货无法顺利实现销售，或者存货价格出现大幅下跌的情况，使得公司面临存货跌价风险。

　　3、毛利率下降的风险

　　公司主营业务毛利率变动主要受产品销售价格、原材料采购价格、市场竞争程度、技术更新换代及政策变动等因素的影响。同时，随着公司产品种类增加，不同产品的售价及成本存在一定差异，不同产品销售收入占比的结构性变化也会对公司主营业务毛利率产生较大影响。若未来上述影响因素发生重大不利变化，公司毛利率将会面临下降的风险，从而对公司盈利能力造成不利影响。

　　4、应收账款和合同资产无法回收的风险

　　报告期内，随着公司业务规模及营业收入的快速增长，应收账款和合同资产也大幅增加。随着公司业务规模的扩大，公司的客户数量逐步增加，应收账款及合同资产的金额及占比可能会进一步增加。如果出现下游行业波动、客户自身财务状况恶化等因素导致应收账款不能按期回收，并导致需要计提较大金额的坏账准备或无法回收发生坏账的情况，将对公司经营业绩、经营性现金流等产生不利影响。

　　5、税收优惠政策变化的风险

　　公司为高新技术企业，自2022年起的三年内执行15%的企业所得税税率。另外，根据国务院《关于印发进一步鼓励软件企业和集成电路产业发展若干政策的通知》（国发[2011]4号）和财政部、国家税务总局《关于软件产品增值税政策的通知》（财税[2011]100号）的规定，公司销售设备所匹配的嵌入式软件产品享受增值税即征即退的优惠政策。

　　根据《中华人民共和国企业所得税法》及其实施条例，财政部、国家税务总局和科学技术部印发的《关于完善研究开发费用税前加计扣除政策的通知》（财税[2015]119号）、《关于提高研究开发费用税前加计扣除比例的通知》（财税[2018]99号），财政部和国家税务总局印发的《关于进一步完善研发费用税前加计扣除政策的公告》（财税[2021]13号）等规定，公司在2022年度享受研究开发费用加计扣除的所得税优惠。

　　如果相关税收优惠政策取消、优惠力度下降，或者公司不再满足享受前述税收优惠的条件，将对公司的经营业绩产生不利影响。

　　6、研发投入未能有效转化的风险

　　报告期内，公司研发费用分别13,839.54万元，占当期营业收入比例为20.22%。随着在半导体领域产业化不断推进和光伏领域持续投入，公司研发人员以及研发项目投入增加，导致研发费用呈持续上升趋势。若研发费用持续增加，但研发投入未能有效实现成果转化，将对公司的经营业绩产生不利影响。

　　(六)行业风险

　　1、行业周期波动和产业政策变化的风险

　　公司的经营状况与下游行业的发展密切相关，半导体领域，如果由于国际政治和经济形势引起的对尖端技术的封锁或者由于下游行业的周期性波动等，导致上述行业固定资产投资及对设备需求的下降，也将会影响公司经营业绩；未来如果光伏行业政策变化等因素导致行业景气度下降或者产能严重过剩，进而影响下游企业对公司产品的需求，可能对公司的经营业绩产生不利影响。

　　2、国内市场竞争加剧的风险

　　近年来ALD技术因其良好的市场空间和丰富的应用场景受到关注，在巨大发展潜力的吸引下，国内竞争者开始出现，竞争也趋于激烈。未来随着国内竞争企业的增加，可能压缩公司的利润空间，并导致公司市场份额下滑，对公司生产经营产生不利影响。

　　(七)宏观环境风险

　　1、国际贸易摩擦加剧的风险

　　全球产业链和供应链重新调整及贸易摩擦对全球经济发展和世界政经格局造成重大冲击，如果由于上述因素可能出现上述国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司零部件的供应，或者由于国产替代的元器件无法达到境外相关产品的质量和技术标准，进而影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，进而对公司的经营产生不利影响。

　　(八)存托凭证相关风险

　　(九)其他重大风险

　　1、实际控制人不当控制的风险

　　王燕清、倪亚兰、王磊组成的家族通过万海盈投资、聚海盈管理、德厚盈投资间接控制公司60.60%股份，王燕清、倪亚兰、王磊系公司的实际控制人。公司股权的集中度较高，如果实际控制人利用其持股优势对公司发展战略、经营决策、人事安排、利润分配和对外投资等重大事项进行非正常干预或控制，则可能损害公司及公司中小股东的利益。

　　2、公司管理风险

　　随着公司经营规模的迅速增长，公司的生产规模、产品结构和涉及的市场领域都将发生较大变化，公司的管理水平在机制建立、战略规划、组织设计、运营管理、资金管理和内部控制等方面将面临较大的挑战。如果后续公司的管理水平无法匹配或适应公司的发展速度及规模，可能会对公司的经营产生不利影响。

　　3、知识产权争议风险

　　公司专用设备目前主要应用于半导体领域和光伏设备行业的应用。半导体设备行业是典型的技术密集型行业，为了保持技术优势和竞争力，防止技术外泄风险，已掌握先进技术的半导体设备企业通常会通过申请专利等方式设置较高的进入壁垒。未来随着公司业务的发展，一方面存在竞争对手主张公司侵犯其知识产权权利或申请公司专利无效的情形，另一方面也存在公司的知识产权被侵权的可能。上述原因均可能导致公司产生知识产权纠纷，对公司的正常经营活动产生不利影响。

　　4、产品质量控制风险

　　公司产品所涉及的技术工艺较为复杂，产品性能指标与原材料对工艺的匹配程度息息相关，若选择的原材料不能匹配特定工艺，将会对产品的质量产生不利影响；同时，下游客户对产品的定制化程度较高，创新设计内容较多，对设备质量有着严苛的要求，公司不能排除因某种不确定或不可控因素导致产品出现质量问题，从而给公司带来法律、声誉及经济方面的风险。

　　5、募投资金使用风险

　　公司募集资金拟投资项目的可行性分析系基于当前较为良好的市场环境及公司充足的技术储备，在市场需求、技术发展、市场价格、原材料供应等方面未发生重大不利变化的假设前提下作出的。若在项目实施过程中，外部环境出现重大变化，将导致募投项目不能如期实施，或实施效果与预期值产生偏离的风险。

　　募投项目新增生产规模结合了公司对光伏、半导体、柔性电子领域市场开拓情况的预估，如果公司下游市场增长或公司市场开拓未及预期，将有可能导致部分生产与检测设备闲置、人员冗余，无法充分发挥全部生产能力，增加费用负担，从而影响公司的经营业绩。若募集资金投资项目不能较快产生效益以弥补新增固定资产投资带来的折旧和无形资产产生的摊销，则募投项目的投资建设将在一定程度上影响公司未来的净利润和净资产收益率。

　　

　　五、报告期内主要经营情况

　　公司2022年营业收入68,451.19万元，同比增长59.96%；2022年归属于上市公司股东的净利润5,415.05万元，同比增长17.43%；2022年扣除非经常性损益后的归属于上市公司股东的净利润1,980.63万元，同比减少-25.79%；2022年末公司总资产381,974.17万元，同比增长181.50%；2022年末归属于上市公司股东的净资产196,278.92万元，增长122.16%。

六、公司关于公司未来发展的讨论与分析