云南锗业: 关于实施高品质磷化铟单晶片建设项目的公告内容摘要_股票频道

（原标题：关于实施高品质磷化铟单晶片建设项目的公告）

2026年4月3日，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司第九届董事会第二次会议审议通过《关于实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”的议案》，同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司实施该项目。项目计划总投资18,856万元，建设期18个月，资金来源为自有资金及金融机构贷款。项目建成后，云南鑫耀将新增年产30万片（折合4英寸）高品质磷化铟单晶片产能，最终达到年产45万片（折合4英寸）的产能。项目不构成关联交易，也不构成重大资产重组，无需提交股东大会审议。项目经济效益测算内部收益率为49.51%，投资回收期为4.48年（含建设期）。

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