(原标题:半导体设备业务发展的进展)
本公告由普達特科技有限公司自願作出,旨在向股東及有意投資者提供公司最新業務發展的資料。公司一台12英寸LPCVD爐管設備已成功通過客戶驗收,應用於LP-SiN薄膜沉積工藝;另有一台12英寸ALD爐管設備正在客戶端進行驗證,適用於ALD-SiN/ALD-SiCN薄膜沉積,兼容Thermal/Plasma模式。公司Galilee-LP與Galilee-ALD設備平台服務於12英寸邏輯制程、DRAM及3D NAND領域,支持65nm至7nm先進節點的SiN、Poly、TEOS等多種膜層沉積,性能達國際標準,具備高深寬比填充、均勻性、台階覆蓋率及低污染優勢,並提升批次生產效率。公司已完成14/7nm節點Low-K ALD SiOCN爐管設備開發,用於高性能絕緣層應用,目前此類設備仍由海外廠商壟斷。此外,公司CUBE單片清洗設備自2025年10月以來已有五台在多家高質量客戶通過驗收,應用於SiC、功率器件及數模混合芯片領域,其中兩台為重複訂單,具備超薄晶圓處理、伯努利傳輸與邊緣管控技術。上述客戶為獨立第三方。公司將繼續推進設備交付與驗收,擴大客戶基礎,推動半導體設備國產化進程。
