晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202511024193.9，授权日为2025年10月31日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，方法包括：提供半导体材料层，半导体材料层用于形成至少两个凹槽；在半导体材料层的一侧形成第一硬掩模层，蚀刻第一硬掩模层以形成至少两个开口，开口用于定义凹槽的关键尺寸；在开口中形成刻蚀引导结构，刻蚀引导结构的上表面高于第一硬掩模层的上表面；形成覆盖第一硬掩模层和刻蚀引导结构的介质层，介质层的上表面与刻蚀引导结构的上表面齐平；在介质层背离第一硬掩模层的一侧形成光刻胶层，在开口的对应位置处对光刻胶层进行不同深度的曝光以形成不同深度的光刻胶凹槽；基于不同深度的光刻胶凹槽对刻蚀引导结构和半导体材料层执行一次性刻蚀，以在半导体材料层中形成不同深度的凹槽。

今年以来晶合集成新获得专利授权316个，较去年同期增加了40.44%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目631次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1406条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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