晶合集成获得发明专利授权：“2T-eFlash结构及形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“2T-eFlash结构及形成方法”，专利申请号为CN202511121679.4，授权日为2025年10月28日。

专利摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种2T?eFlash结构及形成方法，包括：提供一衬底，并在衬底上形成N阱区和浅沟槽隔离结构；在靠近浮栅对应沟道区域的浅沟槽隔离结构内形成两个凹槽，且两个凹槽对称设置于所述N阱区的两侧；形成栅氧结构，栅氧结构覆盖所述N阱区、浅沟槽隔离结构以及凹槽的底部和侧壁；沉积多晶硅，至少填满所述凹槽；定义多晶硅图形，形成浮栅；在浮栅的侧壁形成侧墙结构；在浮栅的顶部沉积复合绝缘层结构；形成层间介质层，以及贯穿层间介质层的大尺寸接触孔；在大尺寸接触孔内填充导电填充材料，形成控制栅。本发明提高了编程和擦除的效率，减少了工艺步骤，提升了工艺稳定性。

今年以来晶合集成新获得专利授权299个，较去年同期增加了33.48%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1347条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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