晶合集成获得发明专利授权：“一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件”，专利申请号为CN202510931927.5，授权日为2025年10月17日。

专利摘要：本申请公开了一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件，LDMOS器件的制备方法包括：在半导体层中形成体区和漂移区，并且在所述体区中形成源区，在所述漂移区中形成漏区；在所述半导体层的表面依次形成层叠的第一硬掩模层和第二硬掩模层，并且形成贯穿第一硬掩模层和第二硬掩模层的开口；在所述开口暴露的半导体层的表面形成凸起结构，所述凸起结构与所述开口的侧壁之间具有间隙；经由所述第一硬掩模层的开口刻蚀所述凸起结构和所述半导体层，在所述半导体层中形成沟槽，所述沟槽从所述半导体层的表面向其内部延伸，所述沟槽的底部包括凹陷部和凸起部；以及在所述沟槽中形成栅结构。

今年以来晶合集成新获得专利授权294个，较去年同期增加了32.43%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1231条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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