晶合集成获得发明专利授权：“用于半导体器件的测试结构和测试方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“用于半导体器件的测试结构和测试方法”，专利申请号为CN202510934594.1，授权日为2025年10月17日。

专利摘要：本申请实施例公开了一种用于半导体器件的测试结构和测试方法，半导体器件包括衬底、多个栅极和多个接触结构，测试结构包括多个第一导电结构，衬底包括间隔设置的多个第一有源区；多个栅极设置在衬底之上，且各个栅极在衬底表面的投影与相应的第一有源区交叠；多个接触结构分别经通孔连接至相应的第一有源区，多个接触结构包括位于相邻的两个栅极之间的多个第一接触结构；多个第一接触结构通过多个第一导电结构以及相应的第一有源区电连接在第一量测结构和第二量测结构之间，以使第一量测结构和第二量测结构之间的电阻值表征多个第一接触结构的电性检测结果。本申请实施例提高了半导体器件的工艺缺陷的测试准确性。

今年以来晶合集成新获得专利授权294个，较去年同期增加了32.43%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1231条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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