芯导科技获得发明专利授权：“SGTMOS管的器件结构制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯导科技（688230）新获得一项发明专利授权，专利名为“SGTMOS管的器件结构制备方法”，专利申请号为CN202411442909.2，授权日为2025年9月26日。

专利摘要：本发明提供了SGT MOS管的器件结构制备方法，该方法包括：在外延层的表面和外延层的第一凹槽侧壁上依次形成第一热氧化层、隔离层和沟槽氧化层，在满足沟槽侧壁氧化层的厚度要求的基础上，对第一热氧化层的厚度进行减薄，以减少对外延层的消耗，从而提高SGT管的耐压性能。在沟槽氧化层构成的凹槽内沉积第一多晶硅层，并去除第一凹槽内的部分沟槽氧化层，由于设置了所述隔离层，因此第一多晶硅层突出部分表面的栅间氧化层可按需求厚度进行生成，从而降低了SGT管的栅源电容。沉积第二多晶硅层并对第一凹槽两侧的外延层进行第一离子注入和第二离子注入。在衬底上沉积层间介质层，完成器件结构的制备。

今年以来芯导科技新获得专利授权13个，较去年同期增加了116.67%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1533.63万元，同比减10.9%。

通过天眼查大数据分析，上海芯导电子科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目4次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息127条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可5个。

数据来源：天眼查APP

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