晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202510933785.6，授权日为2025年9月16日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括以下步骤：在存储区和外围区的衬底上均形成有间隔设置的伪栅极结构，在存储区和外围区中，相邻伪栅极结构间设有凹槽，伪栅极结构由下至上包括多晶硅层、第一硬掩模层和第二硬掩模层，外围区的第二硬掩模层的厚度大于存储区的第二硬掩模层的厚度；去除第二硬掩模层，将部分厚度的第一硬掩模层转化为氮氧化硅硬掩模层，使得存储区的氮氧化硅硬掩模层的上表面和外围区的氮氧化硅硬掩模层的上表面在同一水平面上，这样在平坦化处理所述介质层时存储区和外围区没有台阶，从而有利于提高半导体器件的厚度均一性，进而提高了WAT测试的均一性以及器件良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权272个，较去年同期增加了22.52%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1238条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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