晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制备方法”，专利申请号为CN202510603588.8，授权日为2025年9月16日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域，在衬底的第一器件区和第二器件区上形成第一栅极结构和第二栅极结构；在衬底、第一栅极结构及第二栅极结构上形成第一应力缓冲层；在第二器件区的第一应力缓冲层上形成第一图形化的光刻胶层，并对第一栅极结构两侧的衬底进行离子注入；去除第一图形化的光刻胶层；在第一器件区的第一应力缓冲层上形成第二图形化的光刻胶层，并对第二栅极结构两侧的衬底进行离子注入；去除第二图形化的光刻胶层。第一应力缓冲层可以隔绝第一栅极结构及第二栅极结构表面的碱性基团，避免第一图形化的光刻胶层和第二图形化的光刻胶层产生站脚和底切问题，且不会增加工艺的复杂程度。

今年以来晶合集成新获得专利授权272个，较去年同期增加了22.52%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1238条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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