晶合集成获得发明专利授权：“一种浅沟槽隔离结构及其制备方法和半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种浅沟槽隔离结构及其制备方法和半导体器件”，专利申请号为CN202510713130.8，授权日为2025年9月16日。

专利摘要：本申请公开了一种浅沟槽隔离结构及其制备方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，其中制备方法包括：提供半导体衬底，该半导体衬底包括器件密集区域和器件稀疏区域，在半导体衬底上形成牺牲层，并对器件稀疏区域的牺牲层进行改性处理，对牺牲层及其底部的半导体衬底进行刻蚀形成沟槽，并使沟槽周边至少剩余改性后的牺牲层，以使剩余的牺牲层形成垫层，在半导体衬底上形成隔离层，使隔离层填充沟槽并覆盖沟槽周边的垫层，对隔离层以及垫层进行研磨，以使沟槽形成具有平整的表面的浅沟槽隔离结构，从而可以消除浅沟槽隔离结构表面的凹陷。

今年以来晶合集成新获得专利授权272个，较去年同期增加了22.52%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1238条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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