晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构”，专利申请号为CN202510912148.0，授权日为2025年9月12日。

专利摘要：本发明涉及一种半导体器件结构的制造方法及半导体器件结构，属于半导体制造技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在衬底上依次沉积栅极氧化层和高介电常数介电材料层；在高介电常数介电材料层上生成PMOS功函数层，该功函数层包括注入镓离子的覆盖层以及预设厚度的氧化镓薄膜；制备伪栅极结构，依次沉积接触蚀刻阻挡层和第零层间介质层并平坦化，该介质层包括硼含量不同的两层硼磷硅玻璃薄膜；依次进行伪栅极去除、金属填充及平坦化处理，形成具有集成金属栅极和源漏接触的半导体器件结构。本发明通过在PMOS区域引入镓离子和氧化镓薄膜，并采用双层不同硼含量的硼磷硅玻璃作为第零层间介质层，有效提高了半导体器件的性能和稳定性。

今年以来晶合集成新获得专利授权265个，较去年同期增加了19.37%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1238条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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