晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其形成方法”，专利申请号为CN202510804072.X，授权日为2025年9月9日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，对Core器件区的NMOS区和SRAM器件区的NMOS区进行第一次离子注入，以使Core器件区的NMOS区的阈值电压调节到目标值，此时SRAM器件区的NMOS区具有第一阈值电压值；根据第一阈值电压值和SRAM器件的良率与阈值电压的关系，确定最高良率所对应的SRAM器件区的PMOS区的第二阈值电压值；对Core器件区的PMOS区和SRAM器件区的PMOS区进行第二次离子注入，以使SRAM器件区的PMOS区的阈值电压达到第二阈值电压值，对Core器件区的PMOS区进行第二次调节阈值电压，以使Core器件区的PMOS区的阈值电压达到目标值。本发明意想不到的效果是，在Core器件区与SRAM器件区共用掩模版降低制造成本的同时，保证Core器件区的阈值电压达到目标值和SRAM器件区达到最高良率所对应的阈值电压。

今年以来晶合集成新获得专利授权264个，较去年同期增加了20%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1231条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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