晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202510587924.4，授权日为2025年9月9日。

专利摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：半导体衬底、栅极结构、第二导电类型的源区和漏区。半导体衬底内有第一导电类型的阱区；源区和漏区位于阱区的上表层；栅极结构位于阱区的上表面，漏区和源区在第一方向上分别位于栅极结构两侧，栅极结构包括依次层叠的栅介质层、半导体层及位于半导体层内的第二导电类型的第一掺杂区和第一导电类型的第二掺杂区，其中第二掺杂区在第一方向上的宽度小于第一掺杂区，第一、第二掺杂区分别位于栅极结构靠近漏区和源区的一侧，均位于半导体层的上表层，且分别具有第一预设深度和大于第一预设深度的第二预设深度。本发明的半导体结构及其制备方法可防止器件工作过程中预夹断，同时降低米勒平台时间。

今年以来晶合集成新获得专利授权264个，较去年同期增加了20%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1231条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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