晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202510713073.3，授权日为2025年9月9日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有多个栅极结构，于相邻两个栅极结构之间的衬底内形成预处理沟槽；于预处理沟槽的内壁上形成拓展层；刻蚀去除拓展层中位于预处理沟槽底部的部分，使剩余的拓展层覆盖所述预处理沟槽的侧壁，并刻蚀预处理沟槽下方的衬底，以形成基于预处理沟槽的初始沟槽；刻蚀所述初始沟槽中未被拓展层覆盖的部分并形成西格玛沟槽；去除剩余的拓展层；于所述西格玛沟槽内形成外延层，所述外延层包括自下而上依次堆叠的缓冲层、中间层和盖帽层，且所述缓冲层完全覆盖所述西格玛沟槽的内壁。本申请减少或避免了中间层中的元素扩散至衬底内，从而减少甚至避免半导体器件的短沟道效应。

今年以来晶合集成新获得专利授权264个，较去年同期增加了20%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1231条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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