东微半导（688261）2025年半年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期东微半导（688261）发布2025年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况

    （一）所处行业情况

    公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），属于半导体行业中的功率半导体分立器件细分领域。

    1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

    （1）行业现状及市场规模

    功率半导体器件行业是人才、技术和资金密集型的行业，行业的发展以芯片设计能力、晶圆制造能力、技术创新能力、先进生产能力和综合管理能力为根本，对技术方案设计、产品性能优化、产品更新换代、后续技术服务，以及为客户提供定制化开发产品能力等方面均有较高的要求，需要长时间的实践和积累。

    随着全球贸易格局的演变，半导体自主可控重要性提升，当前国产替代关键领域持续进行技术攻关，产业链各环节的国产化率不断提升。下游应用端对产品性能多元化需求、对质量标准日益提高的需求，以及国家对行业发展规划的需要，国内功率半导体厂商需要通过持续技术创新，实现技术突破，提高技术储备，以高性价比的产品和服务实现核心电子元器件国产化，响应国家产业政策的发展规划。“ChinaforChina”的趋势下，国产替代有望从单点突破迈向全链条渗透。

    世界半导体贸易统计组织（WSTS）宣布，2025年1-6月全球半导体市场规模达3,460亿美元，同比增长18.9%。其中一季度市场规模约1,670亿美元，同比增长18.1%；二季度约1,800亿美元，同比增长19.6%。逻辑半导体市场规模提升37%、存储半导体增长20%、传感器增长16%、模拟和微型器件均小幅增长4%。该机构预测，2025年全球半导体市场规模将达到7,009亿美元，同比增长11.2%。

    （2）行业发展与演进

    功率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术的重大进步，使得电能的利用更加高效、灵活和可靠，而且功率半导体已广泛应用于电力、交通、通信、工业自动化、新能源等多个领域，因此，功率半导体技术的发展水平直接关系到一个国家能源利用效率和高端装备制造能力。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。进入21世纪，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料逐渐崭露头角，它们具有高耐压、高温工作、低损耗等显著优点。

    （3）行业的主要特点

    1）功率半导体器件专注于材料突破、工艺优化和技术创新

    功率半导体器件属于特色工艺产品，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间。功率器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。

    2）产品多世代并存

    二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等传统器件与碳化硅、氮化镓等新材料器件共存，适应不同应用场景需求。

    3）特色工艺平台的高定制化能力满足日益多元化的细分场景需求“平台化多样性”是特色工艺企业构筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器，工艺平台越强大的企业，其在技术经验、服务能力和特殊化开发能力方面越具有深厚的优势。功率半导体行业应用领域的多样化，导致功率半导体产品根据客户定制要求所产生的细分需求也日益多元。功率半导体企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号，因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色工艺平台的定制化能力要求极高。

    4）IDM与Fabless模式的并存，Fablite模式的崛起半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节，IDM模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力，但由于半导体行业的周期性，IDM公司容易受制于原有固定产能，从而陷入被动局面。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless模式也已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。

    近年来，一种结合了IDM与Fabless优势的“Fablite”模式逐渐崭露头角，即在保留部分内部制造能力的同时，将技术难度更高或更先进的生产环节外包给专业的外部代工厂，兼具IDM与Fabless优势的混合模式，旨在降低投资风险，提升企业的灵活性，有效控制成本。

    （4）主要技术门槛

    功率半导体行业属于技术密集型行业，技术门槛较高。功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域的技术。在功率半导体器件中，超级结MOSFET、高性能IGBT、高性能SGTMOSFET、SiCMOSFET及GaNHEMT的技术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方面可以通过改进核心器件结构的设计来提升，另一方面可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。

    功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持在开关损耗、导通损耗、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较高的要求，因此研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、芯片产业化等能力，而且能够在短期内成功开发出多品类、适宜量产的产品，才能持续保持市场竞争优势地位。新进入者若缺乏上述的条件，则难以实现持续的业务增长和保持技术上的领先。

    2、公司所处的行业地位分析及其变化情况

    公司先后获得国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业、国家知识产权优势企业、江苏省工程技术研究中心、江苏省专精特新小巨人企业、江苏省民营科技企业等荣誉。当前半导体芯片产业链国产替代空间巨大，基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司不断深耕市场，已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一，展现出良好的发展势头。

    公司功率器件产品技术领先，体现在功率器件的仿真、设计、工艺实现、封装测试及应用测试等全流程工序。公司产品以高工艺制造难度的超级结MOSFET产品、性能优良极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET产品、独创单胞结构性能优良的TGBT产品以及紧跟国内外领先技术水平的SiCMOSFET产品、算力电源功率模块为主。

    在超级结MOSFET领域，公司积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。在中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司积累了包括优化电荷平衡、自对准加工、单胞尺寸等比例缩小、降低寄生电容等多项在设计以及工艺制造中的核心技术，产品的关键技术指标达到了国内外领先水平。

    在IGBT领域，公司的TGBT产品是基于新型的TridentGateBipolarTransistor(简称Tri-gateIGBT)器件结构的重大原始创新，该自主专利技术为基础的TGBT产品系列已经进入稳定的量产交付阶段，性能达到了国际先进的七代IGBT芯片性能。

    在第三代半导体领域，公司的SiCMOSFET、SiCMOSFET、SiCSBD已经实现规模化量产，性能指标和同类型竞品对比优势明显。同时，公司第四代SiCMOSFET产品技术平台完成研发。公司持续在第三代半导体领域投入研发，同步推进高性能SiCJFET、GaNHEMT等器件的开发工作。

    在功率模块领域，公司布局了拥有模块领域丰富开发经验的团队，在算力服务器电源、车载OBC、主驱电控以及车载热管理系统等应用领域，设计了多款塑封模块，并已逐步量产。公司将会持续在功率模块领域投入研发，为客户提供更高功率密度电源的模块解决方案。

    3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

    （1）新技术的发展情况及未来发展趋势

    1）持续追求高效能与低功耗目标

    随着全球能源危机的加剧和环保意识的提高，半导体功率器件需要不断提高能效，降低功耗，以满足节能减排的需求。这要求半导体功率器件在设计和制造过程中不断优化结构、材料和工艺，以实现更高的转换效率和更低的损耗。市场需求的多样化将推动半导体功率器件的差异化发展。

    2）材料创新将是推动半导体功率器件发展的关键

    功率器件技术的发展是由“提高性能”和“降低成本”的内在需求推动的，作为电能转换与电路控制的核心,随着Si基材料逐渐逼近其物理极限,摩尔定律接近效能极限，新型材料可以突破传统材料的局限性，提升器件性能，满足高压、高频等严苛应用需求。

    3）功率器件模块和分立化的各施所长，相互渗透

    低压大电流和中高压大电流的应用场景需要通过优化功率器件的结构及工艺来提升性能，同时低压大电流和中高压大电流的应用场景又带动了对功率产品高功率密度以及功率器件模块化和集成化的需求。一方面，在传统的中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂，制造难度更大，这使得芯片+模块的整体价值变高；在小功率应用场景中，功率器件和电感等无源器件被封装到嵌入式高精度模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积，以满足当下服务器电源、算力电源快速增长的需求。另一方面，无论是以特斯拉为代表的造车势力还是其他意识到供应链安全的大型公司，都在传统单芯片封装的基础上继续优化封装体功率密度，不断推出散热能力更佳的封装形式，通过灵活的基板级集成以及水道设计来实现单芯片集成方案。如特斯拉公司推出的顶部散热T2PAK，英飞凌公司推出的顶部散热TOLT、TOLG等新型封装规格。这类封装的优势体现在更易实现的高可靠性、可评测性，更少的一次性投资以及更加快捷的降本周期。所以，未来几年功率器件的模块化和分立化的趋势会在细分领域各施所长，相互渗透。

    4）国产化进程加速

    现代半导体功率器件正朝着大功率、易驱动和高频化的方向发展。晶闸管、MOSFET和IGBT等关键技术在其各自的应用领域内持续突破，而新型宽禁带半导体功率器件如碳化硅和氮化镓等也已成功研发并投入产业化应用，其应用领域也在不断拓展。

    我国在半导体功率器件领域的研发投入正在不断加大，通过自主创新与引进先进技术的结合，在MOSFET、IGBT等传统功率器件以及碳化硅、氮化镓等新型宽禁带半导体材料的应用上均取得了显著进展。尽管与国际先进水平相比，我国在产业规模、技术水平和产业集中度上仍存在一定的差距，但这一差距正在逐渐缩小。

    （2）新产业、新业态、新模式的发展情况及未来发展趋势

    1）人工智能及数据中心建设

    随着人工智能、数据挖掘等新技术发展，海量数据产生及对其计算和处理成为数据中心发展关键，数据中心作为AI重要的基础设施，迎来新一轮的建设热潮。

    AI模型训练和推理对算力需求不断增强，数据中心建设装机进入扩张期。根据IEA数据统计显示，全球已部署的数据中心装机容量从2005年的21.4GW增至2021年的66.9GW，预计2025年将攀升至114.3GW，比20年前增长逾5倍。并且根据其测算，乐观假设下，2024-2030年数据中心总装机量CAGR高达21%，即使在悲观假设下，2024-2030年数据中心总装机量CAGR仍能达到8%的增长。

    2）AI算力服务器市场

    服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热等部件中，广泛应用SGTMOSFET、SJMOSFET、高密度功率模块、GateDriver、DrMOS等功率半导体。

    在AI应用需求的驱动下，服务器市场正进入一个长周期的快速增长阶段。根据IDC数据，2024年全球服务器行业整体表现强劲，尤其是AI服务器市场增长显著。2024年全球服务器市场规模达到约1,693.4亿美元，预计2031年将达到2,812.6亿美元，2025-2031期间年复合增长率为7.4%。AI服务器市场表现出色，2024年全球AI服务器市场规模为1,251亿美元，预计2025年将达到1,587亿美元，到2028年有望突破2,227亿美元。

    工信部《算力基础设施高质量发展行动计划》显示，2023年我国算力规模达到220EFLOPS，其中智能算力占25%，目标到2025年，算力规模超过300EFLOPS，智能算力占比达到35%。

    3）新能源汽车领域

    中国汽车工业协会数据，2025年上半年，我国汽车产销量分别达1,562.1万辆和1,565.3万辆，同比分别增长12.5%和11.4%。其中，新能源汽车产销量分别达696.8万辆和693.7万辆，同比分别增长41.4%和40.3%，新能源汽车新车销量达到汽车新车总销量的44.3%。具体来看，以旧换新政策持续显效带动，内需市场显著改善，新能源汽车延续快速增长态势，1-6月国内销量587.8万辆，同比增长35.5%，持续拉动产业转型升级。总体来看，全球半导体分立器件最大的应用领域之一仍是汽车领域，主要终端应用的稳定增长，为功率分立器件奠定稳固的基本需求，但行业竞争依然激烈。

    新能源汽车持续提升充电功率、缩短充电时间，电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平，高电压成为了新能源汽车行业的发展趋势。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大大增加。从半导体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT和MOSFET等）、MCU和智能驾驶AI芯片、传感器及其他元器件等。随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能需要MOSFET作为电能转换基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现。在器件层面，高效的IGBT、SiC或GaN器件，通过先进封装技术改善散热条件、降低寄生参数以提高功率模块可靠性，最终实现在高压、高温、高速的工况下的能量转换效率。在系统层面，随着动力域将机械、电能转换及热管理等耦合部件进行融合，通过智能化可将参数优化程度提升，利用大数据可对动力系统的子系统进行远程标定和模拟测试以达到更高的电力转换效率。在整车层面，可通过数字化将电机驱动、热管理、转向和制动等部件联接，实现能效互补。

    功率半导体在新能源汽车半导体价值量中的占比高达50%左右。第三方市场调研机构Omdia曾预测，2025年全年车规级半导体市场规模将达到804亿美元，中国市场规模达到216亿美元，其中功率半导体占比将突破30%。

    4）充电桩

    中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）发布数据显示，2025年1-6月，全国充电基础设施增量为328.2万个，同比上升99.2%。其中公共充电设施增量为51.7万个，同比增长30.6%，私人充电设施增量为276.5万个，同比上升120.8%。截至2025年6月，全国充电设施累计数量已突破1,610万个，同比增长55.6%。

    充电模块作为充电桩的核心部件，其核心功能的实现主要依托于功率半导体器件发挥整流、稳压、开关、变频等作用，随着用户更加追求充电系统的小型化、高效化，功率器件作为充电桩的核心器件，也面临着不断优化和升级。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。

    此外，液冷成为解决大功率散热的有效途径，或将成为技术突破主线。相较于传统的风冷充电桩，液冷充电桩的区别主要在于使用了液冷充电模块，并且配备了液冷枪线。液冷充电枪散热性能更好，充电效率更高，且更轻、更方便；而液冷模块相较于传统的风冷模块散热效果更好、更可靠、防护高、安全性高、噪音低、有更低的全生命周期成本，高压快充趋势下未来液冷充电枪及液冷模块的生产及全液冷充电站的建设或迎来高增，从而带动模块用功率器件的快速增长。

    5）5G基站

    根据工业和信息化部发布的2025年上半年通信业经济运行情况数据显示：截至2025年6月末，5G基站总数达454.9万个，比上年末净增29.8万个，占移动基站总数的35.7%，占比较一季度提高1.3个百分点。

    5G基站采用MassiveMIMO等技术，单扇区输出功率从4G的40-80W提升至200W以上，同时基带处理单元（BBU）功率超过1000W，这种高功率需求推动5G通信基站建设需要大量的功率半导体器件，尤其是氮化镓（GaN）等新型器件，凭借其高功率密度、高频特性和高效能，成为5G基站射频功率放大的核心选择，其耐高压、耐高温特性，又能使基站模块实现小型化设计，降低部署成本。

    6）光伏逆变及储能

    根据国家能源局发布的2025年上半年光伏发电建设情况：全国光伏新增并网2.12亿千瓦，其中集中式光伏约1亿千瓦，分布式光伏1.13亿千瓦。截至2025年6月底，全国光伏发电装机容量达到约11亿千瓦，同比增长54.1%，其中集中式光伏6.06亿千瓦，分布式光伏4.93亿千瓦。今年上半年，全国光伏累计发电量5,591亿千瓦时，同比增长42.9%，全国光伏发电平均利用率94%。

    根据CNESADataLink全球储能数据库不完全统计，截止到2024年底，全国新型储能累计装机首次超过百吉瓦时，达到78.3GW/184.2GWh，同比增长126.5%/147.5%，新增新型储能投运装机规模43.7GW/109.8GWh，同比增长103%/136%。各地“十四五”储能发展累计目标达到86.6GW，远超国家的40GW目标水平。CNESA预测，2025年新型储能新增装机预计在40.8GW~51.9GW之间，平均45GW左右。储能技术的不断创新将推动产业升级，大容量储能电芯的研发和量产将进一步加速，长时储能技术也将迎来大规模增长，满足新能源电力系统对长时间储能的需求。此外，人工智能技术将在新型储能领域得到更广泛的应用，提高储能系统的安全性和稳定性。应用场景从传统的发电侧、电网侧和用户侧，向交通、工业、建筑等多领域渗透。

    （二）主要业务、主要产品或服务情况

    1、主要业务

    公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代，产品获得工业和车载重要客户认可。

    （1）Si基器件（含超级硅MOSFET）业务进展

    车载电子领域：批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔、欣锐科技、汇川技术、阳光电源、陆巡科技、英威腾等公司。公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号、英博尔公司颁发的“优秀合作伙伴奖”等；

    直流充电桩领域：批量出货给客户A、特来电、通合电子、汇川技术、麦格米特、永联科技、安德普电源、英飞源、优优绿能、阳光电源等公司，保持在该市场的主导地位。公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广泛而深入的合作关系；

    服务器电源、通信电源和基站电源领域：批量出货给客户A、维谛技术、台达、世纪云芯、东科半导体、超聚变数字、欧陆通、长城科技、中恒电气、中兴康讯、铂科电子等公司；

    光伏逆变器及储能领域：批量出货给客户A、新明海科技、三晶电气、麦田能源、艾罗网络、德业科技、古瑞瓦特、固德威等公司；

    泛工业领域：批量出货给视源股份、航嘉（Huntkey）、高斯宝、明纬电子、天力电源、联明电源、洛仑兹技术等客户，并持续为上述客户开发新的产品规格；

    高密度电源领域：批量出货航嘉驰源、视源股份、英威腾、升华电源、硕通电子等客户；报告期内，作为高性能电源的核心器件，超级结MOSFET在数据中心服务器电源等领域的业务继续保持增长；公司中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT销售额及销售量较上年同期均显著增长。

    （2）SiC器件（含SiCMOSFET）业务进展

    报告期内，公司在SiC系列产品上的推进效果显著，推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品，形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiCMOSFET产品进入稳定交付阶段，销量增长。报告期内，公司率先推出了性能优良的1400V系列产品，该系列产品已通过客户的测试并获得订单。公司650V/750V/1200V的第四代SiCMOSFET研发成功，正在积极推进客户验证。

    公司致力于发展全球客户，产品进入算力电源、基站电源、电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。未来，公司将持续专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，坚持技术创新驱动，以成为国际领先的功率半导体厂商为目标，为终端客户创造更大价值。

    2、主要产品

    公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅2MOSFET、TGBT系列IGBT产品、SiC器件（含SiCMOSFET）以及高密度功率模块。公司的产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。

    公司上述产品的具体介绍如下：

    （1）超级结MOSFET

    公司的超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。

    （2）中低压屏蔽栅MOSFET

    公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司中低压功率器件产品涵盖25V-250V工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。

    公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性。公司推出全系列采用CopperClip技术封装的超低导通电阻的产品，器件优值得以提高，具备更高的应用效率与系统兼容性。

    （3）超级硅MOSFET

    公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。公司的超级硅MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。特别适用于各种高密度高效率电源，包括光伏逆变及储能、直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器、TV电源板等。

    （4）TGBT

    公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工作电流覆盖15A-200A。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等系列。其中，高速系列的开关频率可达100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至1.5V及以下；超低导通压降系列的导通压降可达1.2V以下。

    公司TGBT产品在不提高制造难度的前提下提升了电流密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，特别适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS电源、电机驱动、压缩机控制、电焊机、光伏逆变器等领域。

    （5）SiC器件（含SiCMOSFET）

    公司的SiC器件包括SiC二极管、SiCMOSFET、SiCMOSFET等产品。其中，SiC二极管、SiCMOSFET全部使用了SiC衬底，充分利用SiC宽禁带材料的耐高压和耐高温特性。公司SiC产品快速跨越初代技术，已实现第二代、第三代技术平台的量产，并推出了多款技术领先的产品。第四2代SiCMOSFET平台也已完成研发，进入小批量试产和终端验证阶段。SiCMOSFET克服了传统SiCMOSFET成本高和可靠性挑战大的缺点，实现了低成本和高栅氧可靠性，同时还实现了接近SiCMOSFET优秀的反向恢复能力，能够在特定应用场景中给客户提供多种选择。

    （6）功率模块

    公司的超级结MOSFET塑封模块，在液冷式算力服务器电源领域取得了量产突破；车载OBC领域公司布局了全系列塑封模块，包括超级结MOSFET、TGBT以及SiCMOSFET主力产品线平台，为400V和800V平台新能源汽车OBC提供整套功率模块解决方案；同时公司在主驱电控领域的SiCMOSFET塑封模块方案得到了国内头部Tier1的A样定点。

    二、经营情况的讨论与分析

    2025年上半年，在人工智能算力芯片、存储芯片、云基础设施建设和先进消费电子产品等领域持续需求的驱动下，全球半导体市场呈现复苏与增长态势。据世界半导体贸易组织（WSTS）发布的2025年春季半导体市场最新预测，按细分市场来看该机构认为今年的半导体市场规模攀升将由逻辑和存储器的增长引领，传感器和模拟等细分领域预计增长较为温和。

    （一）整体经营业绩情况

    报告期内，公司实现营业收入6.16亿元，较上年同期增长46.79%；实现归属于上市公司股东的净利润2,758.14万元，较上年同期增长62.80%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润972.70万元，较上年同期增长485.00%。

    报告期内，公司各季度营业收入攀升，受益于数据中心、算力服务器电源等领域的业务保持增长并稳步提升，公司营业收入及净利润较上年同期实现较大增长。公司产品广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能、车身加热和平衡系统等工业级与汽车级领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子领域。公司坚持以技术创新为驱动的理念，纵向持续深耕高性能功率半导体领域，横向拓展丰富产品线，持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系，保障产能的有效供给，持续进行前沿技术的合作。

    公司产品在汽车、工业、消费等应用领域广泛发展，报告期内车规级、工业级领域营业收入占比约为84%，通常而言车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用。同时，由于中高端功率器件产品应用广泛且国外厂商仍占据了较大的市场份额，公司在此领域内拥有广阔的进口替代空间及发展空间。

    （二）技术研发情况

    公司始终坚持技术创新与研发投入，2025年上半年研发费用为4,223.04万元，较上年同期增长8.89%；截至2025年6月末，公司研发人员数较上年同期增长20.29%；2025年上半年公司研发人员平均薪酬较上年同期增长22.71%。

    报告期内，公司积极推进主营产品超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT、SiCMOSFET2（含SiCMOSFET）产品线的扩容，包含了产品的迭代、更多的产品规格、更多的制造基地。硅基产品线通过和晶圆代工厂的合作，首次形成12英寸交付片量超越8英寸的局面。同时，公司进一步加大第三代半导体的产品线扩展以及第四代半导体的研发。其中，第三代半导体SiCMOSFET产品线实现量产交付，产品性能达到国内外第一梯队水平，研发实力进入国内领先序列。具体如下：

    1、公司超级结产品持续扩大在300mm生产线的交付能力，平均良率和制造一致性得到大幅提升；

    2、基于自主专利技术开发出的650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户；

    3、SiC系列产品的研发推进效果显著。第二代、第三代650V和1200V平台的SiCMOSFET多个产品进入稳定交付阶段，报告期内公司率先推出了性能优良的1400V系列，通过客户的测试并获得订单。公司第四代SiCMOSFET完成研发，性能处于国内领先水平。

    综上，报告期内，公司持续保持研发投入，主营产品技术迭代和产品升级有序进行。同时，在持续投入研发的同时，公司进一步完善专利布局以充分保护核心技术，持续通过专利布局建立深厚的技术壁垒和市场壁垒，为技术创新构筑知识产权护城河，为业务开展及未来新业务的拓展打下坚实的基础。

    （三）产能供给情况

    报告期内，公司与上游晶圆制造企业华虹半导体、粤芯半导体及DBHitek等厂商继续保持稳定的业务和技术合作关系。在第三代半导体领域，公司与多家SiC代工厂进行SiC二极管、SiC2MOSFET以及SiCMOSFET的深入合作，保障公司第三代半导体产品系列研发工作的有序推进及产能供应，通过合理有效的采购方式应对产能供给的周期性变化，降低产能波动对公司产品交付及时性的影响。公司持续关注并协助开发适合于晶圆合作伙伴的创新工艺流程，根据合作伙伴的制造能力进行深度定制化开发适配的工艺及产品，持续保持双方技术能力的相互促进和共同提升。

    （四）实验平台建设

    公司致力于提升晶圆和器件级的电性测试与可靠性实验能力的构建与完善，推动实验室体系向更高标准迈进。报告期内，公司实验室成功通过了中国合格评定国家认可委员会（CNAS）标准实验室的认定，标志着公司在实验和测试能力、质量管理及测试数据公信力方面达到国际互认水平，进一步提升了公司在产品验证方面的专业性和权威性。同时，全面导入实验室信息管理系统，实现了测试数据的数字化管理和全流程追溯，进一步提升了实验室的运营效率和管理水平。在车规级可靠性验证方面，公司实验室已具备完整的测试能力，覆盖关键实验项目，确保产品在严苛环境下的长期可靠性。实验室的快速检测能力大幅缩短了产品验证周期，使公司能够高效分析器件在不同应力条件下的性能退化规律，并快速反馈至设计与封装工艺优化环节，为产品研发和工艺改进提供了有力支撑。一流实验平台的升级与完善，将为公司技术创新、产品可靠性提升及市场拓展提供坚实保障。

    （五）产业链布局情况

    公司投资的产业基金苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业（有限合伙）、苏州工业园区智源微新创业投资合伙企业（有限合伙），主要对半导体行业及新能源等半导体产业链上下游相关领域的企业和基金进行投资，投资项目涉及第三代半导体材料、高端深度特色工艺晶圆厂、IGBT模块、车规级高可靠性集成方案以及光伏逆变器企业等。报告期内，公司根据整体战略布局，完成了对电征科技54.55%的股权收购，纳入公司合并报表范围，旨在进一步丰富公司产品线，拓展算力服务器电源和新能源功率模块产品。

    公司密切关注优质资产及并购机会，综合考虑业务、上下游产业链协同、公司发展战略规划等情况，充分评估风险收益，谨慎决策。公司对于上下游产业链的投资布局，中长期来看有利于提升与东微半导的产业链协同效应，推动公司持续、快速、稳定、健康发展。

    三、报告期内核心竞争力分析

    (一)核心竞争力分析

    1、完善的研发团队及体系

    公司一直以来高度重视技术团队的建设，已建立起了完善的研发团队及体系，完整的研发团队及体系与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员的研发能力保证了公司的技术敏锐度和研发水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。

    同时，公司的研发管理体系与质量体系持续改进，多个数字化系统的功能得以优化。公司自研的新一代产品生命周期管理系统上线，进一步推动研发效率的提升。

    2、丰富的产品规格

    功率器件的产品规格丰富，不同规格的产品被应用于不同的应用场景。得益于公司丰富的产品系列以及强大的产品开发能力，公司的功率器件产品已被广泛应用于各类工业级及消费级领域。

    同时，公司车规产品管理评审流程日渐成熟，车规产品推出速度和数量大为提升，车规市场项目的对接成功机会显著增加。

    3、强大的客户基础

    凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，公司已经与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领域尤其是车规级和工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认可，成为了该等客户的主要国内供应商之一。同时，公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户。公司进入该等客户的供应链体系后能够持续为公司带来高粘性，同时也将推动公司不断进行技术迭代升级以满足引领行业发展的头部客户需求，为公司保持高端功率器件领域的领先地位奠定基础。

    4、稳定的供应商关系

    公司与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商建立了长期稳定的业务合作关系与高效的联动机制。在根据终端市场需求精确调整产品设计的同时，公司具有与上游供应商合作并实现深度定制化开发的能力，主要是基于与供应商长期稳定的战略合作关系与高效的联动机制。

    由于功率器件的制造工艺较为特殊，特别是高性能产品的开发需要器件设计与工艺平台的深度结合，研发团队需对晶圆厂的基准工艺平台进行深度优化和定制设计。在产品研发阶段，公司会与晶圆厂进行深度的共同讨论，通过多次反复工艺调试，使得晶圆厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能，最终推出经优化的产品，更好地贴合终端客户的需求。在这个过程中，晶圆代工厂的工艺能力亦在双方互相协作中获得优化和提升，实现了双方技术能力的相互促进和提升。

    5、经验丰富的管理团队

    公司联合创始人龚轶先生硕士毕业于英国纽卡斯尔大学，拥有超过20年半导体研发管理经验，曾担任全球领先的中央处理器（CPU）厂商超微半导体公司的研发工程师、全球最大的功率器件厂商英飞凌科技的德国研发中心专家；同时，也是国家创新人才推进计划科技创新创业人才、江苏省科技企业家、姑苏创新创业领军人才。公司联合创始人王鹏飞博士毕业于德国慕尼黑工业大学，从事半导体技术研发工作超过20年，曾担任德国英飞凌科技存储器研发中心研发工程师。王博士是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者，拥有多年的半导体行业经验，尤其是在功率半导体领域拥有着国际一流的视野与技术创新能力。除联合创始人及研发团队以外，公司的市场、运营、销售等部门的核心团队均拥有半导体行业相关的学历背景和国内外知名半导体公司多年的工作经历，积累了丰富的产业经验和专业的管理能力。公司的核心技术人员均为半导体相关专业毕业，从事半导体技术开发和项目管理工作超过10年，有着丰富的产品开发经验和项目管理经验，熟悉公司业务流程并作为开发项目负责人主导和参与了公司各项重大科研项目。

    (三)核心技术与研发进展

    1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    报告期内，公司持续进行新技术开发工作，遵循技术路线图推进各项技术迭代和产品升级。

    超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT产品在完成了从8英寸代工厂到12英寸代工厂扩展的基础上，主要产品在12英寸晶圆制造基地无论从技术还是产能上均得到了显著的扩容。报告期内，功率模块和GaNHEMT领域实现了突破，其中，功率模块已经在算力电源和车载电源领域实现持续稳定交付，GaN产品系列得到扩充，积极推进客户验证。

    （1）超级结MOSFET方面：

    公司深槽超级结MOSFET的设计及工艺技术包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等技术。电荷平衡技术兼具技术先进性与工艺稳定性，技术方面大幅提高衬底掺杂浓度，有效降低了导通电阻；稳定性方面使产品内部电场更加均衡，性能更加稳定。栅极结构优化以及缓变电容核心原胞结构技术解决了超级结MOSFET由于开关速度快导致的开关震荡的问题。由于导通损耗与导通电阻成正比，超级结MOSFET在导通损耗方面具有很大的优势；同时，开关时间越短，开关过程的能量损耗就越低。超级结MOSFET拥有极低的FOM值，从而拥有极低的开关损耗和驱动能量损耗。基于上述核心技术，公司的超级结MOSFET产品具有比肩国际一流公司产品的性能，在优化器件性能的同时提高了产品的良率与可靠性，控制了生产成本，整体具有较高的市场竞争力。公司的深槽超级结MOSFET设计及其工艺技术处于国内领先、国际先进的水平。

    报告期内，公司在12英寸新晶圆制造基地推进扩展和技术优化工作，为公司带来丰富且优质的制造资源。在与12英寸新晶圆制造基地的通力合作下，超级结MOSFET的产能获得了显著的提升，晶圆测试良率持续稳定在高水平，这种优异的表现更能适应高端客户对产能和产品一致性的严苛要求。第四代超级结MOSFET量产工作已经完成，多颗产品获得批量订单并对销售额增长做出贡献；第五代超级结MOSFET小批量交付，性能国内领先；第六代的研发工作进展顺利，经初步验证器件性能已经接近国际大厂最优系列，性价比优势明显。随着晶圆代工厂产能的扩张以及制造设备性能的提升，公司在供应能力和产品性能上的优势正在逐步放大。

    （2）中低压屏蔽栅MOSFET方面：

    公司中低压屏蔽栅MOSFET设计及其工艺技术包括自对准的制造技术、电荷平衡原理以及全新的器件结构与生产工艺，实现了电场调制耐压的提高，形成了高功率密度、低开关损耗、高可靠性等特点。公司的中低压屏蔽栅MOSFET设计及其工艺技术处于国内领先水平。

    报告期内，公司优化了25V-150V全规格段产品性能，量产多颗难度较高的规格产品，帮助终端客户完成国产化替代。公司持续投入车规验证资源，陆续有产品通过第三方车规考核并量产交付。在大电流高频率领域，25V-80V高频系列单体器件性能国内领先，公司25V、30V、40V、60V产品完成了高速器件的研制，极低的导通电阻以及极低的寄生电容使之适合服务器以及AI算力电源应用。目前，相关的SGT器件已经在AI电源，新型机器人等领域实现了销售。

    （3）独创结构的TGBT方面：

    公司TGBT产品设计及其工艺技术具体包括载流子控制技术、原胞功率调制技术以及独创的器件结构等。载流子控制技术优化了IGBT器件在导通时的内部载流子分布；原胞功率调制技术使器件在大功率开关过程中的功率分布更加均匀，避免了局部电压电流过大而导致的器件失效，使得器件具有更高的工作稳定性；公司独创的器件结构提升了产品的电场调制能力，提高了耐压性以及载流子浓度，因此提升了产品整体的可靠性。

    报告期内，公司完成了基于背面氢注入的650V高速低功耗TGBT产品的研发，产品具备和目前世界范围内最优IGBT竞品对等的参数能力，预计将在下半年陆续推出基于该技术的产品系列，为公司赢得更多订单机会。使用公司研发的650V高频TGBT搭载公司自研的高可靠性SiC续流管产品，已大批量应用于新能源车载充电机领域；多款1200V短路性能优良的产品已经批量交付工业电机及光伏逆变类客户，助力TGBT销售量的增长。在TGBT领域，公司将研发主力投入于高频和高可靠性应用市场，以期差异化提升产品价值。

    （4）Hybrid-FET器件方面:

    Hybrid-FET器件及其工艺技术包括全新的器件架构以及电流动态调整技术。这种特殊的器件结构结合了导通电流密度高与开关速度快的特点，可实现高速关断和大电流的处理能力；采用电流动态调整技术则使器件在不同的应用工作状态下拥有不同的电学表现，具有更加宽广的安全工作区域，可提高产品的整体稳定性。

    公司的Hybrid-FET器件兼具IGBT与MOSFET器件的优势，综合提供更加符合应用场景的解决方案，器件及其工艺技术处于国内领先水平，目前该技术已申请专利并开始产业化。Hybrid-FET器件基于TGBT技术，因此是TGBT的一个子类。报告期内，Hybrid-FET器件稳定批量出货，产品规格型号进一步增加，其性能优势已经被客户所认可。以90A的Hybrid-FET产品为例，该产品已经批量应用于客户系统中，处于稳定出货状态，其在客户端的最高工作频率可达100K以上，采用该产品的系统，效率比采用传统器件的系统有大幅提升。

    （5）SiC器件方面：

    公司长期跟进SiC技术的发展，包括SiC器件的FOM设计、高可靠性的栅氧工艺以及测试筛选技术等。通过逐步积累知识产权和头部工厂保持联动，积极推进SiC器件产品的自主研发和规模化生产交付工作。

    报告期内，公司加速SiC系列产品的研发和量产工作，通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作，已经推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品，并成为该晶圆代工厂产品推进速度最快的战略伙伴，形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiCMOSFET产品进入稳定交付阶段，销量增长。报告期内，公司率先推出了性能优良的1400V系列产品，在充分发挥国内设计公司快速响应的优点的同时，成功解决了客户应用的痛点问题，该系列产品已通过客户的测试并获得订单。公司650V/750V/1200V的第四代SiCMOSFET研发成功，正在积极推进客户验证。公司自主研发的Si2CMOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的补充，同时公司也积极研发其他类型的SiC器件，如硅器件和SiCJFET的组合，沟槽型SiCMOSFET，以及超结型SiCMOSFET，以应对未来市场对第三代半导体产品的应用和性价比需求。

    此外，公司积极布局基于SiC器件的功率模块开发，通过优化SiC器件性能以及模块封装代工资源加速SiC业务的拓展。在前期工业和车用单管类SiCMOSFET开发成功的基础上，公司已经启动主驱模块芯片的开发，为未来切入SiC主驱模块领域做好技术储备。公司在算力和车载模块的研发成果显著，搭载公司SiCMOSFET芯片的塑封模块已实现了成倍的功率密度增长，目前可靠性考核结果理想，预计第三季度有序投放头部客户作为下一代技术方案进行推广。

    （6）Si2CMOSFET器件方面：

    Si2CMOSFET器件具有独创的器件架构与优化的制造工艺，拥有极好的栅氧可靠性与高栅源耐压，同时具有极低的反向恢复时间和反向恢复电荷，易于应用，适用于图腾柱无桥PFC、H桥逆变等拓扑结构，已用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能等领域。

    （7）超级硅MOSFET方面：

    公司的超级硅MOSFET设计及其工艺技术主要包括独创的器件结构与优化的制造工艺，拥有高速开关以及低动态损耗的特性，在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度，在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓（GaN）功率模块的效率和功率密度，产品具有栅电荷与导通电阻的乘积优值低、工艺成熟度高的特点及优势。由于超级硅系列产品采用的硅基制造工艺更加成熟，一方面相较氮化镓器件可靠性更高，另一方面具有优秀的动态特性，可以进入SiCMOSFET及GaNHEMT的应用领域。

    四、报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业收入6.16亿元，较上年同期增长46.79%；实现归属于上市公司股东的净利润2758.14万元，较上年同期增长62.80%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润972.70万元，较上年同期增长485.00%。公司主营业务收入分产品系列实现情况主要如下：（1）公司超级结MOSFET产品报告期内实现营业收入4.69亿元，较2024年同期增长40.36%；（2）公司中低压屏蔽栅MOSFET产品报告期内实现营业收入1.18亿元，较2024年同期增长62.14%；（3）公司Tri-gateIGBT产品报告期内实现营业收入2066.61万元,较2024年同期增长88.62%；（4）公司超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入168.89万元，较2024年同期增长18.15%；（5）公司SiC器件产品（含Si2CMOSFET）报告期内实现营业收入34.91万元，较2024年同期增长5.24%；（6）公司功率器件模块产品报告期内实现营业收入610.96万元。

    报告期内，公司产品以车规级、工业级应用为主，报告期内上述领域营业收入占比约84%，主要来自各类工业及通信电源、车载充电机、光伏逆变器、新能源汽车直流充电桩等领域。公司主要细分领域收入具体表现为：各类工业及通信电源领域收入占当期主营业务收入的比重约39%，该领域收入较上年同期增长约74%；车载充电机领域收入占当期主营业务收入的比重约22%，该领域收入较上年同期增长逾90%；光伏逆变器领域收入占当期主营业务收入的比重逾7%，该领域收入较上年同期增长约98%；新能源汽车直流充电桩领域收入占当期主营业务收入的比重约7%，该领域收入较上年同期增长约45%。

    2025下半年度，公司主营产品将持续批量出货并新增多个产品送测认证，这将对公司主营产品的销售提供持续推动力。

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