晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202510782771.9，授权日为2025年8月19日。

专利摘要：本申请提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。本申请发现半导体光学传感器中高K值金属氧化物介电层与氧化硅介质层结合性较差而导致器件内部容易产生空洞并严重影响器件性能。针对该情况本申请提供的半导体器件及其制造方法，在介电层上形成介质层前，执行等离子工艺并利用氧化硅前驱体轰击介电层，以使介电层表面含氧键断裂并与氧化硅前驱体的硅氧键结合，而在介电层表面形成类硅酸盐结构界面，以在类硅酸盐结构界面上形成介质层。由此，类硅酸盐结构界面为氧化硅提供的连续的成核点，使氧化硅致密沉积在类硅酸盐结构界面上，使介电层与介质层通过类硅酸盐结构界面致密结合，避免了介质层内层级分离导致的内部孔洞。

今年以来晶合集成新获得专利授权244个，较去年同期增加了15.09%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1219条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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