晶合集成获得发明专利授权：“一种FinFET器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种FinFET器件及其制造方法”，专利申请号为CN202510278314.6，授权日为2025年7月25日。

专利摘要：本申请公开了一种Fin FET器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，Fin FET器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的鳍形结构，鳍形结构在第一方向延伸；阱区，位于鳍形结构的下部；STI结构，位于半导体衬底上，且位于相邻的阱区之间；栅叠层结构，在与第一方向相交的第二方向延伸，栅叠层结构横跨鳍形结构的上部，分别与鳍形结构上部的侧壁和顶部接触；以及源区和漏区，位于鳍形结构上部，且位于栅叠层结构两侧；其中，STI结构中具有气隙，气隙在第二方向延伸，且栅叠层结构位于STI结构表面的部分与STI结构中的气隙相对。本申请通过在STI结构中设置气隙，减小Fin FET器件的寄生电容。

今年以来晶合集成新获得专利授权227个，较去年同期增加了17.01%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目628次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1199条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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