晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法”，专利申请号为CN202510175060.5，授权日为2025年7月22日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法，采用第一刻蚀工艺对伪栅极进行刻蚀，以去除第一厚度的伪栅极，并保留第二厚度的伪栅极，第一厚度大于第二厚度，采用第二刻蚀工艺对第二厚度的伪栅极进行刻蚀，以去除第二厚度的伪栅极，第二刻蚀工艺包括气化工艺，气化工艺用于使第二厚度的伪栅极转化为气态物质并逸出，因为第二刻蚀工艺如气化工艺对阻挡层的腐蚀性小于第一刻蚀工艺如干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺对阻挡层的腐蚀性，所以，可以减小伪栅极的刻蚀对阻挡层的损伤，进而可以使得阻挡层的金属阻挡能力不会明显下降，进而可以减小金属栅极中的金属扩散到高介电常数的栅介质层的几率，进而可以保证半导体器件的可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权224个，较去年同期增加了17.28%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目628次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1188条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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