晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制备方法及半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”，专利申请号为CN202510257027.7，授权日为2025年7月15日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中制备方法包括以下步骤：提供基底；在基底上形成隔离层；在隔离层上形成特定结构的第一金属结构层；于第一金属结构层上形成自然氧化层；在自然氧化层上形成保护层；在保护层上形成掩膜层，以该掩膜层为掩膜向下刻蚀保护层和自然氧化层，形成预留的交叠结构位置；在预设条件下，于对应预留的交叠结构位置的第一金属结构层上形成后续氧化层；在后续氧化层上形成第二金属层，刻蚀该第二金属层形成交叠结构，且在刻蚀该第二金属层时将保护层作为刻蚀截止层以保护第一金属结构层。本发明可以有效防止刻蚀第二层金属时损伤非交叠结构处的第一层金属结构层，避免可靠性出现问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权212个，较去年同期增加了16.48%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目627次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1160条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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