晶合集成获得发明专利授权：“双浅沟槽隔离结构及其制备方法和CMOS图像传感器”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“双浅沟槽隔离结构及其制备方法和CMOS图像传感器”，专利申请号为CN202510604824.8，授权日为2025年7月11日。

专利摘要：本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种双浅沟槽隔离结构及其制备方法和CMOS图像传感器，方法包括：对第一沟槽开口和第二沟槽开口的底端实施第一次离子注入；对第一沟槽开口的底端实施第二次离子注入；进行退火处理，分别在第一沟槽开口的底端形成第一氧化区域，在第二沟槽开口的底端形成第二氧化区域；刻蚀第一氧化区域和第二氧化区域，形成双浅沟槽隔离结构；本发明基于二氧化硅和硅的刻蚀选择比高的特性，通过两次离子注入和一次氧化区域的刻蚀工艺，实现精确控制双浅沟槽隔离结构的深度和形状，在保证隔离效果的同时能够提高制造效率；同时，能够确保双浅沟槽隔离结构的轮廓连续性，保证器件的整体性能和可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权211个，较去年同期增加了15.93%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目627次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1160条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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