晶合集成获得发明专利授权：“一种高集成度的双层集成电路结构及制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种高集成度的双层集成电路结构及制备方法”，专利申请号为CN202510274710.1，授权日为2025年7月11日。

专利摘要：本发明提供一种高集成度的双层集成电路结构及制备方法，所述方法包括：第一晶圆包括上衬底和第一隔离层，第二晶圆包括下衬底和第二隔离层，将第一隔离层和第二隔离层键合在一起成为隔离层；形成贯穿上衬底和下衬底的第一通孔，并在第一通孔内、上衬底表面和下衬底表面形成隔离区；在上衬底和下衬底上形成器件；在第一通孔内的隔离区中形成第二通孔，并在所述第二通孔中形成导电层，用于串联位于上衬底与下衬底上的器件。本发明通过在键合的两片晶圆上形成上下对称的器件，利用贯穿的导电层将上下层的器件进行串联，能够节省部分制备工艺，缩短工艺流程，并且提高芯片的集成度。

今年以来晶合集成新获得专利授权211个，较去年同期增加了15.93%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目627次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1160条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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