晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及制造方法”，专利申请号为CN202510267655.3，授权日为2025年7月8日。

专利摘要：本申请提供一种半导体器件及制造方法，涉及半导体技术领域。本申请提供的半导体制造方法可以在隔离沟槽的沟槽内壁处形成保护层，从而在衬底被刻蚀时，基于保护层的刻蚀速率小于衬底的刻蚀速率而使保护层维持隔离沟槽的完整沟槽结构，以留存隔离沟槽的基本结构使其不会随衬底的刻蚀而被破坏。由此，基于前述保护层的保护，在半导体单元的源漏极区域形成的锗硅容纳结构不会破坏与其相邻的隔离沟槽，使隔离沟槽与锗硅容纳结构都具有完整的结构，保证半导体单元的性能。此外，考虑到锗硅容纳结构不会破坏与其相邻的隔离沟槽，则在制备锗硅容纳结构时，可以降低锗硅容纳结构与隔离沟槽的距离，从而提高半导体器件的集成度。

今年以来晶合集成新获得专利授权201个，较去年同期增加了12.29%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目627次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1136条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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