晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件的制备方法及半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制备方法及半导体器件”，专利申请号为CN202510152788.6，授权日为2025年6月27日。

专利摘要：本公开涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供衬底；于衬底内形成第一型的阱区，阱区内包括间隔分布的源极区、漏极区；基于目标光罩于阱区内形成沟槽，沟槽位于源极区、漏极区之间；向沟槽的目标侧壁及部分底部注入第二型的离子，形成纵截面为“L”型的第二型的目标掺杂区；目标侧壁与漏极区相邻；于沟槽内形成介质层后，于阱区内形成第二型的漂移区；于目标掺杂区、源极区之间的衬底上形成栅极结构，于源极区内形成源掺杂区，于漏极区内形成漏掺杂区。至少能够改善高压器件的HCI的可靠性问题和高压器件的SOA的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权189个，较去年同期增加了11.83%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目626次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1157条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可17个。

数据来源：天眼查APP

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