晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202510137625.0，授权日为2025年6月24日。

专利摘要：本申请公开了半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供一衬底，衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区；形成伪栅于NMOS器件区上和PMOS器件区上；形成功能层于伪栅上和衬底上，所述PMOS器件区在所述伪栅和所述伪栅侧壁功能层下之外的区域为预留区域；形成覆盖NMOS器件区上功能层且在PMOS器件区上开口的光阻层；利用光阻层作掩膜进行功能层的刻蚀直到露出预留区域的表面，之后去除光阻层；形成预备沟槽于预留区域中。本申请能够使NMOS器件的伪栅高度下降并且减小NMOS器件和PMOS器件的伪栅高度差。

今年以来晶合集成新获得专利授权177个，较去年同期增加了5.99%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目626次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1157条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可17个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。