晶合集成获得发明专利授权：“一种双深度沟槽的制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种双深度沟槽的制作方法”，专利申请号为CN202510429961.2，授权日为2025年6月17日。

专利摘要：本发明公开了一种双深度沟槽的制作方法，属于半导体集成电路制造技术领域。该方法首先在衬底和硬掩膜层中至少制作出两个深度相同，但宽度不同的沟槽，分别为窄深沟槽和宽浅沟槽，然后依次在硬掩膜层上制作出第一牺牲层和保护层，该过程中，窄深沟槽通过第一牺牲层封口；去除窄深沟槽的封口结构和内部的第一牺牲层时，保护层能够对宽浅沟槽进行保护；进一步将窄深沟槽进行深度扩展形成目标深度，并去除宽浅沟槽内部的材料，形成双深度沟槽。采用本发明的方法，可以仅使用一张光罩同时制作出深度不同的窄深沟槽和宽浅沟槽，显著降低了制作背照式图像传感器的成本。

今年以来晶合集成新获得专利授权170个，较去年同期增加了2.41%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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