晶合集成获得发明专利授权：“在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件”，专利申请号为CN202510262515.7，授权日为2025年6月13日。

专利摘要：本申请公开了在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件，方法包括：提供至少具有第一栅极和第二栅极的半导体结构；在半导体结构的表面形成第一应力介质层；蚀刻第一应力介质层；在半导体结构的表面形成第二应力介质层；第一应力介质层为按如下形成的压应力介质层：第一沉积处理，在半导体结构的表面沉积具有第一沉积厚度的第一介质层；对第一介质层的整个膜层进行第一等离子体处理，其中第一沉积厚度不超过第一等离子体处理的处理深度；基于设置的第一循环次数，多次循环执行第一沉积处理和第一等离子体处理，在半导体结构的表面形成压应力介质层。本申请可改善伪栅移除后的栅极结构的形貌，进而改善金属填充。

今年以来晶合集成新获得专利授权168个，较去年同期增加了3.07%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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