晶合集成获得发明专利授权：“一种在沟槽中沉积应力介质层的方法及浅沟槽隔离结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种在沟槽中沉积应力介质层的方法及浅沟槽隔离结构”，专利申请号为CN202510262514.2，授权日为2025年6月13日。

专利摘要：本申请公开了一种在沟槽中沉积应力介质层的方法及浅沟槽隔离结构，所述方法包括：第一沉积处理，基于设置的第一沉积厚度，采用HARP工艺在第一沟槽中沉积一层第一介质层；第一等离子处理，基于设置的第一等离子体处理功率和第一等离子体处理时间，采用包含惰性气体的等离子体对第一介质层的整个膜层进行第一等离子体处理，其中第一沉积厚度不超过第一等离子体处理的处理深度；基于设置的第一循环次数，多次循环执行第一沉积处理和第一等离子体处理，直至将第一沟槽填满，以在第一沟槽中形成压应力介质层。与现有技术相比，本申请意想不到的技术效果是：可根据需要在沟槽中选择性沉积不同应力的介质层，特别是压应力介质层。

今年以来晶合集成新获得专利授权168个，较去年同期增加了3.07%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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