晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制作方法”，专利申请号为CN202510273245.X，授权日为2025年6月6日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，包括提供基底、形成多个相互分隔设置的栅极结构位于所述基底上以及位于其两侧侧壁上的间隙壁，其中，所述间隙壁和所述基底的表面包括至少含有氢元素、氧元素和硅元素的官能团，对所述间隙壁的表层及其两侧的所述基底的表层进行预处理，以使所述间隙壁的表层所包含的官能团数量与位于其两侧的所述基底的表层所包含的官能团的数量之差处于误差范围内，即通过减少和/或增加间隙壁的表层及其两侧的基底的表层中所含官能团的数量，调整间隙壁的表层及其两侧的基底的表层上官能团的分布密度，提高过渡氧化层的阶梯覆盖率和沉积速率。

今年以来晶合集成新获得专利授权159个，较去年同期增加了5.3%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。