晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件版图结构”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件版图结构”，专利申请号为CN202510127988.6，授权日为2025年6月6日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体器件版图结构，包括：半导体衬底、栅极图形、漏端轻掺杂区和源端轻掺杂区，其中栅极图形位于半导体衬底上，漏端轻掺杂区和源端轻掺杂区分别位于栅极图形两侧的半导体衬底中，其中漏端轻掺杂区包括第一漏端轻掺杂区和若干第二漏端轻掺杂区，第一漏端轻掺杂区与栅极图形之间具有间隙，沿第一方向若干第二漏端轻掺杂区间隔排列，且若干第二漏端轻掺杂区与第一漏端轻掺杂区靠近栅极图形的一侧连接，第二漏端轻掺区延伸至栅极图形的边缘下方。本发明能够达到改善半导体器件的静电保护能力的目的，并且能够节约制备成本和提高制备效率。

今年以来晶合集成新获得专利授权159个，较去年同期增加了5.3%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。