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晶合集成获得发明专利授权:“一种半导体器件及其制备方法”

来源:证券之星企业动态 2025-05-28 02:29:20
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证券之星消息,根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体器件及其制备方法”,专利申请号为CN202510121602.0,授权日为2025年5月27日。

专利摘要:本发明提供一种半导体器件及其制备方法,半导体器件的制备方法包括以下步骤:提供一衬底,衬底上形成有栅极结构,并在栅极结构两侧的衬底中形成漏极掺杂区和源极掺杂区;在源极掺杂区和漏极掺杂区的衬底上形成外延层,并将外延层金属化,以形成导电接触层,导电接触层的表面与栅极结构的表面齐平;在导电接触层和栅极结构上形成层间介电层,并在层间介电层中形成导电接触孔,导电接触孔贯通层间介电层并分别与导电接触层和栅极结构接触,以使得栅极结构、源极和漏极处于同一水平面,可以降低接触孔光刻和刻蚀工艺的工艺难度,并解决接触孔刻蚀出现的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权150个,较去年同期增加了7.14%。结合公司2024年年报财务数据,2024年公司在研发方面投入了12.84亿元,同比增21.41%。

数据来源:天眼查APP

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