晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202510121602.0，授权日为2025年5月27日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一衬底，衬底上形成有栅极结构，并在栅极结构两侧的衬底中形成漏极掺杂区和源极掺杂区；在源极掺杂区和漏极掺杂区的衬底上形成外延层，并将外延层金属化，以形成导电接触层，导电接触层的表面与栅极结构的表面齐平；在导电接触层和栅极结构上形成层间介电层，并在层间介电层中形成导电接触孔，导电接触孔贯通层间介电层并分别与导电接触层和栅极结构接触，以使得栅极结构、源极和漏极处于同一水平面，可以降低接触孔光刻和刻蚀工艺的工艺难度，并解决接触孔刻蚀出现的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权150个，较去年同期增加了7.14%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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