晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202411920648.0，授权日为2025年5月27日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底、隔离层、有源区、栅极和栅介质层，其中，所述隔离层位于所述衬底上且设置有两个相互平行的开口；所述有源区位于所述隔离层上，所述有源区包括依次相连的源极区、通道区和漏极区，所述源极区和所述漏极区分别各设于一所述开口内，所述通道区位于所述隔离层上方且与所述衬底的表面平行设置；所述栅极沿所述通道区的延伸方向环绕设置于所述通道区周围；所述栅介质层设置于栅极和通道区之间。本申请增大了栅极与通道区之间的接触面积，有利于提升通道区内的电流传输横截面积以及电场控制效果，减小了半导体器件的面积，减少或避免了半导体器件的短沟道效应。

今年以来晶合集成新获得专利授权150个，较去年同期增加了7.14%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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