晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其形成方法”，专利申请号为CN202510294702.3，授权日为2025年5月16日。

专利摘要：本发明提供半导体结构及其形成方法，先执行第一等离子体处理工艺，在NMOS器件的侧墙、PMOS器件的侧墙上以及浅沟槽隔离结构的表面上形成氢氧键；然后执行第二等离子体处理工艺，第二等离子体处理工艺中的气体与氢氧键反应生成特征反应基团，接着形成掩膜层，特征反应基团与掩膜层中的水生成游离的氢氧根离子，在曝光工艺中，光穿过掩膜层进入浅沟槽隔离结构内进行多次反射，在相邻NMOS器件和PMOS器件之间的沟道底部的掩膜层中产生的光酸超过预设值，游离的氢氧根离子与过度曝光产生的过量光酸发生中和反应，以使掩膜层中的光酸符合预设值，意想不到的效果是，显著改善了掩膜层中侧切的问题，提高了产品的良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权136个，较去年同期增加了7.94%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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