晶合集成获得发明专利授权：“一种浅沟槽隔离结构的制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种浅沟槽隔离结构的制作方法”，专利申请号为CN202510053282.X，授权日为2025年5月13日。

专利摘要：本发明涉及一种浅沟槽隔离结构的制作方法，具体涉及半导体技术领域。所述浅沟槽隔离结构的制作方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、垫氧化层、垫氮化层和至少一个沟槽，所述垫氧化层形成于所述衬底的表面，所述垫氮化层形成于所述垫氧化层的表面，所述沟槽设置于所述衬底内，且上部贯穿所述垫氧化层、所述垫氮化层形成开口；对所述垫氮化层进行平坦化处理；于所述沟槽内形成隔离氧化层，所述隔离氧化层覆盖所述沟槽和所述垫氮化层；对所述隔离氧化层进行平坦化处理，获得所述浅沟槽隔离结构。采用本发明的浅沟槽隔离结构的制作方法可以减少沟槽隔离结构表面的刮伤，提高浅沟槽隔离结构的良品率。

今年以来晶合集成新获得专利授权130个，较去年同期增加了7.44%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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