晶合集成获得发明专利授权：“镍硅化物的形成方法及半导体器件”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“镍硅化物的形成方法及半导体器件”，专利申请号为CN202510001030.2，授权日为2025年5月2日。

专利摘要：本申请公开了一种镍硅化物的形成方法及半导体器件。其中，所述镍硅化物的形成方法包括：提供一形成有栅极、源极以及漏极的衬底；以及在所述衬底的栅极、源极以及漏极的表面形成具有夹层结构的镍硅化物，其中所述镍硅化物的夹层结构包括镍硅薄膜和位于所述镍硅薄膜的顶部和底部的合金层。通过本申请的方案，改变了传统的镍硅化物的结构，以在衬底的栅极、源极以及漏极上形成具有镍硅薄膜和合金层的镍硅化物，使得镍硅化物可以通过位于镍硅薄膜顶部和底部的合金层来阻挡镍硅薄膜中的镍在高温下向外扩散，从而提升镍硅化物的热稳定性。

今年以来晶合集成新获得专利授权119个，较去年同期增加了4.39%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。