晶合集成获得发明专利授权：“一种超结半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种超结半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202510112504.0，授权日为2025年4月25日。

专利摘要：本发明提供了一种超结半导体器件及其制备方法，应用于半导体器件技术领域。在本发明中，基底上形成有超结结构，所述超结结构包括N层依序堆叠的外延层，且形成每层所述外延层后，均包括在所述外延层中形成对准凹槽和在所述对准凹槽内形成第一牺牲层，其中所述N≥2；由于本发明中的第一牺牲层为具有透明特性的氧化物材料（例如二氧化硅），因此，在利用每层外延层上的内部填充有第一牺牲层的对准凹槽执行外延层的选择性第二离子注入区形成期间，对准凹槽中不仅不会有光刻胶残留的问题，并且也不会发生光刻胶残留所衍生的后续形成的外延层的对准凹槽的形状的破坏和曝光设备无法识别对准标记的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权118个，较去年同期增加了9.26%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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