晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202510106273.2，授权日为2025年4月25日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，所述半导体器件的制备方法在形成硅锗沟槽结构后，采用牺牲层作为牺牲介质，并在暴露出的各个栅极结构的表面形成硬掩模层，以填补各个所述栅极结构的表面的高度差。以及，采用化学机械研磨工艺对所述硬掩模层进行平坦化处理，使得各个所述栅极结构的高度恢复至同一水平面。基于此，具有相同高度的各个所述栅极结构，不仅有利于在后续制备过程中，采用同一负载参数进行较大窗口的化学机械研磨，还有利于在后续去除伪栅和填充多晶硅的工艺过程中，能够刻蚀干净伪栅，并充分填充多晶硅，确保较佳的工艺效果，进而能够获取理想的关键参数，提高器件良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权118个，较去年同期增加了9.26%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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