晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件”，专利申请号为CN202510106379.2，授权日为2025年4月22日。

专利摘要：本说明书实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、半导体布局版图、MOS器件。制备方法包括：提供半导体衬底；半导体衬底包括浅沟槽隔离区域、以及被浅沟槽隔离区域定义出的有源区；其中，浅沟槽隔离区域的表面形成有与有源区的表面相接的凹坑；凹坑具有自凹坑底部向凹坑远离有源区一侧的顶部延伸的上升面；在半导体衬底上制作伪栅极结构；伪栅极结构包括与浅沟槽隔离区域接触的功能层和层叠在功能层上的伪栅极材料层；其中，功能层与浅沟槽隔离区域之间具有接触面，且接触面与凹坑的上升面不重叠，或，凹坑的上升面被接触面完全覆盖；对应伪栅极结构的位置，制备形成栅极结构。如此，可以减少制备工艺中出现的功能层缺失及有源区损伤。

今年以来晶合集成新获得专利授权99个，较去年同期减少了1.98%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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