晶合集成获得发明专利授权：“LDMOS器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“LDMOS器件及其制备方法”，专利申请号为CN202510064752.2，授权日为2025年4月1日。

专利摘要：本申请公开LDMOS器件及其制备方法，该LDMOS器件包括：半导体层；位于半导体层中的体区和漂移区；位于体区中的源区；位于漂移区中的第一隔离结构和漏区，漏区和源区沿目标方向排列，第一隔离结构在漏区靠近源区的一侧；在半导体层表面的位于源区和漏区之间的栅结构；位于第一隔离结构表面的场板结构，场板结构包括覆盖第一隔离结构表面的场板介质层和位于场板介质层表面的场板电极层，场板电极层与栅结构连接；其中，场板电极层在第一隔离结构表面的沿目标方向的中心位置，且在目标方向上场板电极层的长度为第一隔离结构表面长度的1/2?3/4。本申请能够使器件导通电阻和工艺成本不显著提高的情况下实现器件高耐压。

今年以来晶合集成新获得专利授权88个，较去年同期增加了37.5%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由智能算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。