晶合集成获得发明专利授权：“硅化物连接层的形成方法及半导体器件”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“硅化物连接层的形成方法及半导体器件”，专利申请号为CN202411790054.2，授权日为2025年4月1日。

专利摘要：本申请公开了硅化物连接层的形成方法及半导体器件，该形成方法包括：提供一半导体结构，半导体结构的材质包括硅；在半导体结构上形成保护层并在保护层上形成金属层；执行退火工艺，以使金属层中的金属粒子穿过保护层与半导体结构中的硅反应而形成中间层；在保护层保护中间层的情况下将金属层的剩余部分去除；再次执行退火工艺以使中间层与半导体结构中的硅继续反应而形成硅化物连接层，并且去除保护层。本申请在去除金属层的剩余部分的过程中中间层因保护层的保护不受损失，有利于提高半导体器件的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权88个，较去年同期增加了37.5%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。