晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN202510059118.X，授权日为2025年4月1日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供衬底，在衬底内形成屏蔽栅引线沟槽和屏蔽栅沟槽，屏蔽栅引线沟槽的开口宽度小于屏蔽栅沟槽的开口宽度的二分之一；在衬底和沟槽内沉积屏蔽栅介质层；在屏蔽栅介质层上沉积第一栅极材料层，表面与衬底的表面齐平；在第一栅极材料层上形成保护层，保护层的表面与屏蔽栅介质层的表面齐平；两侧倾斜刻蚀去除屏蔽栅沟槽内的所述保护层；去除屏蔽栅沟槽内的部分第一栅极材料层，形成屏蔽栅极和引线栅极；在屏蔽栅极上形成表面平整的栅间介质层；在栅间介质层上形成控制栅极。通过本发明提供的半导体器件及其制作方法，能够提高半导体器件的性能，降低生产成本。

今年以来晶合集成新获得专利授权88个，较去年同期增加了37.5%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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