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广立微获得发明专利授权:“半导体栅极侧墙厚度测试方法、结构、装置及存储介质”

来源:证券之星企业动态 2025-04-02 02:29:40
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证券之星消息,根据天眼查APP数据显示广立微(301095)新获得一项发明专利授权,专利名为“半导体栅极侧墙厚度测试方法、结构、装置及存储介质”,专利申请号为CN202411795950.8,授权日为2025年4月1日。

专利摘要:本发明提供的一种半导体栅极侧墙厚度测试方法,包括:测量不同栅极间距下的栅极间的有源区电阻值,依据多个所述有源区电阻值,建立有源区电阻值和栅极间距的数据关系,基于所述数据关系计算得到栅极侧墙厚度;测量至少两个栅极宽度不同,但栅极长度相同的栅极电阻值,基于所述栅极电阻值和所述栅极宽度,计算得到栅极偏差;利用所述栅极偏差矫正所述栅极侧墙厚度,得到实际的栅极侧墙厚度。该技术方案的有益效果在于,利用电性测试方法,解决只有在栅极工艺站点对栅极侧墙厚度检测的缺点,能够更加高效的对栅极侧墙厚度进行检测。本发明还提供了一种半导体栅极侧墙厚度测试结构、装置以及计算机可读存储介质,能够实现栅极侧墙厚度的快速检测。

今年以来广立微新获得专利授权32个,较去年同期增加了255.56%。结合公司2024年中报财务数据,2024上半年公司在研发方面投入了1.32亿元,同比增41.77%。

数据来源:天眼查APP

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