广立微获得发明专利授权：“半导体栅极侧墙厚度测试方法、结构、装置及存储介质”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体栅极侧墙厚度测试方法、结构、装置及存储介质”，专利申请号为CN202411795950.8，授权日为2025年4月1日。

专利摘要：本发明提供的一种半导体栅极侧墙厚度测试方法，包括：测量不同栅极间距下的栅极间的有源区电阻值，依据多个所述有源区电阻值，建立有源区电阻值和栅极间距的数据关系，基于所述数据关系计算得到栅极侧墙厚度；测量至少两个栅极宽度不同，但栅极长度相同的栅极电阻值，基于所述栅极电阻值和所述栅极宽度，计算得到栅极偏差；利用所述栅极偏差矫正所述栅极侧墙厚度，得到实际的栅极侧墙厚度。该技术方案的有益效果在于，利用电性测试方法，解决只有在栅极工艺站点对栅极侧墙厚度检测的缺点，能够更加高效的对栅极侧墙厚度进行检测。本发明还提供了一种半导体栅极侧墙厚度测试结构、装置以及计算机可读存储介质，能够实现栅极侧墙厚度的快速检测。

今年以来广立微新获得专利授权32个，较去年同期增加了255.56%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了1.32亿元，同比增41.77%。

数据来源：天眼查APP

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