晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法及半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制备方法及半导体结构”，专利申请号为CN202411536899.9，授权日为2025年3月25日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，所述制备方法包括：提供衬底，所述衬底内具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构与所述衬底的有源区的交界处形成有凹陷；至少在所述凹陷内靠近所述有源区的侧壁上形成第一介质层；在所述衬底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述衬底的上表面；形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述浅沟槽隔离结构、所述第一介质层和所述牺牲层；对所述第二介质层进行研磨，停止在所述牺牲层；以及去除所述牺牲层。与现有技术相比，本申请意想不到的技术效果是：可在没有增加光罩的情况下，避免在浅沟槽隔离结构与有源区的交界处形成凹陷，使得有源区表面平整，以达到降低INWE的效果。

今年以来晶合集成新获得专利授权75个，较去年同期增加了17.19%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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