晶合集成获得发明专利授权：“背照式半导体结构键合方法及背照式图像传感器”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“背照式半导体结构键合方法及背照式图像传感器”，专利申请号为CN202411834113.1，授权日为2025年3月25日。

专利摘要：本公开涉及提供了一种背照式半导体结构键合方法及背照式图像传感器，方法包括：提供器件晶圆及承载晶圆；器件晶圆包括器件层及位于器件层、衬底之间的外延层；器件层包括光电二极管阵列；在器件层的顶面沉积第一介质层，平坦化处理第一介质层的顶面后，获取平坦化后第一介质层的顶面的中部区域与环绕该中部区域的外围区域的高度差；于研磨后第三介质层的顶面沉积第一厚度的第四介质层；化学机械研磨处理第四介质层，去除第二厚度的第四介质层，第二厚度小于第一厚度；将研磨后第四介质层的顶面与承载晶圆的正面键合，至少可以降低键合晶圆的翘曲程度，降低键合界面的气泡数量，提高器件良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权75个，较去年同期增加了17.19%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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