晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构制备方法及半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构制备方法及半导体结构”，专利申请号为CN202411868367.5，授权日为2025年3月25日。

专利摘要：本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及集成电路技术领域，包括：提供衬底；基于目标光罩，形成沿第一方向依次贯穿支撑叠层的第一通孔；于第一通孔的内侧壁形成目标叠层，目标叠层限定出一第二通孔，目标叠层包括由外至内交替层叠的目标碳层、隔离层；形成填充第二通孔的介电叠层；基于目标光罩，形成贯穿介电叠层并暴露出目标叠层的第三通孔；经由第三通孔刻蚀并去除第二通孔内剩余介电叠层后，过刻蚀第一介电层，得到暴露部分导电层的凹槽；去除目标碳层，形成覆盖第三通孔内侧壁及凹槽内表面的金属阻挡层，相邻剩余隔离层之间包括空气间隙。至少能够减少光罩的使用数量，降低制备工艺的复杂度及成本。

今年以来晶合集成新获得专利授权75个，较去年同期增加了17.19%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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