证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构、半导体结构的制造方法以及CMOS器件”，专利申请号为CN202411833439.2，授权日为2025年3月25日。
专利摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法以及CMOS器件，该半导体结构包括：基底；形成于基底上的金属栅极；其中，金属栅极的表面具有凹槽；凹槽沿金属栅极远离基底的表面向靠近基底的方向延伸；凹槽具有底面侧面；形成于金属栅极远离基底一侧的栅极接触结构；其中，栅极接触结构与凹槽的底面和侧面均相接触。通过本申请实施例，增大了栅极接触结构与金属栅极的接触面积，减小了栅极接触结构与金属栅极之间的接触电阻，提升了CMOS器件的性能。
今年以来晶合集成新获得专利授权75个，较去年同期增加了17.19%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。
数据来源：天眼查APP
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