晶合集成获得发明专利授权：“多尺寸沟槽的制备方法、背照式图像传感器的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“多尺寸沟槽的制备方法、背照式图像传感器的制备方法”，专利申请号为CN202411536894.6，授权日为2025年3月25日。

专利摘要：本申请公开了一种多尺寸沟槽的制备方法、背照式图像传感器的制备方法。该方法包括：提供基底，基底内具有第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽的宽度小于第二沟槽；在基底上方沉积氧化层，氧化层包括：填充第一沟槽的填充区，以及覆盖第二沟槽侧壁和底部的凹槽区；利用各向同性刻蚀工艺去除凹槽区并保留部分填充区；沉积隔离层以覆盖部分填充区和第二沟槽；利用倾角等离子体刻蚀工艺去除部分填充区上的隔离层并保留第二沟槽上的隔离层；刻蚀去除部分填充区，使得第一沟槽底部裸露；利用各向异性刻蚀工艺去除第一沟槽底部裸露的基底，使得第一沟槽的深度大于第二沟槽。通过本申请的方案，无需使用第二张光罩即可加深指定沟槽，进而降低了产品制备成本。

今年以来晶合集成新获得专利授权75个，较去年同期增加了17.19%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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